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J-GLOBAL ID：201202194100341570   Reference number：12A1462434

原子層制御CVD法により作製したSiO₂薄膜の特性評価

Author (9)： YAMANOI TAKEFUMI (立命館大 理工) ,  HIRAI YOSHIHIKO (立命館大 理工) ,  KOBAYASHI MASAYOSHI (立命館大 理工) ,  TSURUOKA NAOKI (立命館大 理工) ,  IMAI SHIGERU (立命館大 理工) ,  IWASAKI HIROSHI (立命館大 理工) ,  MIKI HIDEJIRO (立命館大 理工) ,  MATSUMURA MASAKIYO (東京工大 工) ,  MATSUMURA MASAKIYO (ALTEDEC)
Material： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
Volume： 62nd  Issue： 2  Page： 638  Publication year： Sep. 11, 2001 
JST Material Number： Y0055A  Document type： Proceedings
Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Terms in the title (6)： 原子層 ,  CVD法 ,  作製 ,  SiO2 ,  薄膜 ,  特性評価