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J-GLOBAL ID：201202216772542100   Reference number：12A0416640

Stacking Faults around the hetero-interface Induced by 6H-SiC Polytype Transformation on 3C-SiC with Solution Growth

溶液成長を伴う3C-SiC上の6H-SiCポリタイプ変形により誘発されたヘテロ界面付近の積層欠陥

Author (7)： SEKI Kazuaki (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  MORIMOTO Kai (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  UJIHARA Toru (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  TOKUNAGA Tomoharu (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  SASAKI Katsuhiro (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  KURODA Kotaro (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  TAKEDA Yoshikazu (Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
Material： Materials Science Forum  (Mater Sci Forum)
Volume： 645/648  Issue： Pt.1  Page： 363-366  Publication year： 2010 
JST Material Number： D0716B  ISSN： 0255-5476  Document type： Article
Country of issue： Switzerland (CHE)  Language： ENGLISH (EN)

Terms in the title (7)： 溶液成長 ,  3C-SiC ,  6H-SiC ,  ポリタイプ ,  誘発 ,  ヘテロ界面 ,  積層欠陥