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J-GLOBAL ID：201202218058522131   Reference number：12A0023456

Characterization of Local Electrical Properties of Gate Dielectrics by Conductive Atomic Force Microscopy

導電性カンチレバーを用いた原子間力顕微鏡によるゲート絶縁膜の局所特性計測

Author (1)： KYUNO KENTARO (芝浦工業大学)
Material： Journal of the Vacuum Society of Japan  (真空)
Volume： 54  Issue： 7/8  Page： 420-426 (J-STAGE)  Publication year： 2011 
JST Material Number： G0194A  ISSN： 1882-2398  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *atomic force microscope ,  *cantilever beam ,  *hafnium oxide ,  *oxide film ,  reactive sputtering ,  silicon ,  substrate (plate) ,  measurement ,  reduction (reaction) ,  electrical characteristic ,  *gate dielectric film ,  *conversion coating film
Semi thesaurus term： 導電性カンチレバ ,  局所特性計測 ,  局所的還元 ,  微視的電気特性

JST classification (1)： Electric conduction in other inorganic compounds  (BM03044O)

Reference (38)：

• 1) H. Watanabe, K. Fujita and M. Ichikawa: Appl. Phys. Lett., 72 (1998) 1987.
• 2) E. S. Daniel, J. T. Jones, O. J. Marsh and T. C. McGill: J. Vac. Sci. Technol. B, 15 (1997) 1089.
• 3) H. J. Wen and R. Ludeke: J. Vac. Sci. Technol. B, 15 (1997) 1080.
• 4) B. Kaczer, Z. Meng and J. P. Pelz: Phys. Rev. Lett., 77 (1996) 91.
• 5) S. J. O'Shea, R. M. Atta, M. P. Murrell and M. E. Welland: J. Vac. Sci. Technol. B, 13 (1995) 1945.

Terms in the title (5)： 導電性 ,  カンチレバー ,  原子間力顕微鏡 ,  ゲート絶縁膜 ,  計測