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J-GLOBAL ID：201202224999801164   Reference number：12A0587626

a-SiN薄膜の製膜条件を変化させる事によるPL発光強度への影響

Author (3)： KAJIYAMA YUTAKA (早稲田大 大学院) ,  FUNATSU TOMOKI (早稲田大 大学院) ,  KATO ISAMU (早稲田大 大学院)
Material： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Spring Meeting, Japan Society of Applied Physics and the Related Societies)
Volume： 59th  Page： ROMBUNNO.16A-A6-10  Publication year： Feb. 29, 2012 
JST Material Number： Y0054B  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *photoluminescence ,  *silicon nitride ,  *amorphous semiconductor ,  semiconductor thin film ,  electron density ,  electron temperature ,  *plasma CVD ,  aliphatic alcohol ,  inorganic acid ester ,  amorphous thin film ,  *microwave plasma CVD
Semi thesaurus term： *MPCVD

JST classification (2)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Luminescence of semiconductors  (BM08092S)

Substance index (1)： Tetraethoxysilane

Terms in the title (5)： SiN ,  薄膜 ,  製膜 ,  PL ,  発光強度