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J-GLOBAL ID：201202231549248143   Reference number：12A0405478

Development of Lapping and Polishing Technologies of 4H-SiC Wafers for Power Device Applications

電源デバイス・アプリケーションに対する4H-SiCウェハのラッピングおよびポリッシング技術の開発

Author (10)： YASHIRO Hirokatsu (Nippon Steel Corp., Chiba, JPN) ,  FUJIMOTO Tatsuo (Nippon Steel Corp., Chiba, JPN) ,  OHTANI Noboru (Nippon Steel Corp., Chiba, JPN) ,  HOSHINO Taizo (Nippon Steel Corp., Chiba, JPN) ,  KATSUNO Masakazu (Nippon Steel Corp., Chiba, JPN) ,  AIGO Takashi (Nippon Steel Corp., Chiba, JPN) ,  TSUGE Hiroshi (Nippon Steel Corp., Chiba, JPN) ,  NAKABAYASHI Masashi (Nippon Steel Corp., Chiba, JPN) ,  HIRANO Hosei (Nippon Steel Corp., Chiba, JPN) ,  TATSUMI Kohei (Nippon Steel Corp., Chiba, JPN)
Material： Materials Science Forum  (Mater Sci Forum)
Volume： 600/603  Issue： Pt.2  Page： 819-822  Publication year： 2009 
JST Material Number： D0716B  ISSN： 0255-5476  Document type： Article
Country of issue： Switzerland (CHE)  Language： ENGLISH (EN)

Terms in the title (6)： アプリケーション ,  4H-SiC ,  ウェハ ,  ラッピング ,  ポリッシング ,  開発