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J-GLOBAL ID：201202235750124881   Reference number：12A0587732

低エネルギーイオンビーム照射によるPMMAエッチングイールドの測定と水素プラズマ暴露のエッチングイールドへの影響

Author (6)： YOSHIMURA SATORU (大阪大 工) ,  TSUKASAKI YASUHIRO (大阪大 工) ,  SUGIMOTO SATOSHI (大阪大 工) ,  KIUCHI MASATO (大阪大 工) ,  KIUCHI MASATO (産業技術総合研) ,  HAMAGUCHI SATOSHI (大阪大 工)
Material： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Spring Meeting, Japan Society of Applied Physics and the Related Societies)
Volume： 59th  Page： ROMBUNNO.17P-A7-1  Publication year： Feb. 29, 2012 
JST Material Number： Y0054B  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *Polymethyl Methacrylate ,  *photoresist ,  plasma exposure ,  *ion etching ,  ion irradiation ,  hydrogen plasma
Semi thesaurus term： エッチング収率

JST classification (1)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Terms in the title (7)： 低エネルギー ,  イオンビーム照射 ,  PMMA ,  エッチング ,  イールド ,  水素プラズマ ,  暴露