Art

J-GLOBAL ID：201202239376683443   Reference number：12A0854167

Present status of GaN-based electron devices with high efficiency.

GaN系高効率電子デバイスの開発動向

Author (1)： KUZUHARA MASAAKI (福井大 大学院工学研究科)
Material： 応用物理  (JSAP International)
Volume： 81  Issue： 6  Page： 464-470  Publication year： Jun. 10, 2012 
JST Material Number： F0252A  ISSN： 0369-8009  CODEN： OYBSA  Document type： Article
Article type： 文献レビュー  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *gallium nitride ,  *HEMT ,  two dimensional electron gas ,  MOS structure ,  insulating film ,  aluminum compound ,  indium compound ,  nitride ,  gallium compound ,  cutoff frequency ,  voltage ,  mode ,  leakage current ,  dielectric breakdown ,  indium aluminium nitride ,  breakdown voltage
Semi thesaurus term： aluminium indium nitride ,  breakdown voltage ,  enhancement-mode

JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Reference (59)：

• 1) B. Gelmont, K. Kim and M. Shur: J. Appl. Phys. 74, 1818 (1993).
• 2) D. S. Lee, X. Gao, S. Guo, D. Kopp, P. Fay and T. Palacios: IEEE Electron Device Lett. 32, 1525 (2011).
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• 4) M. Higashiwaki, T. Mimura and T. M atsui : Appl. Phys. Express 1, 021103 (2008).
• 5) H. Sun, A. R. Alt, H. Benedickter, E. Feltin, J.-F. Carlin, M. Gonschorek,N.Grandjean and C.R.Bolognesi: IEEE Electron Device Lett. 31, 957 (2010).

Terms in the title (4)： GaN ,  高効率 ,  電子デバイス ,  開発動向