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J-GLOBAL ID：201202252595994345   Reference number：12A1603101

First-principles study of spontaneous polarization and band gap bowing in Sc_xAl_yGa_1-x-yN alloys lattice-matched to GaN

GaNに格子整合したSc_xAl_yGa_1-x-yN合金における自発分極とバンドギャップ湾曲の第一原理研究

Author (8)： SHIMADA Kazuhiro (Kanto Gakuin Univ., Kanagawa, JPN) ,  TAKOUDA Masahiro (Kanto Gakuin Univ., Kanagawa, JPN) ,  HASHIGUCHI Yuuki (Kanto Gakuin Univ., Kanagawa, JPN) ,  CHICHIBU Shigefusa F (Tohoku Univ., Miyagi, JPN) ,  HATA Masahiro (Sumitomo-Chemical Co., Ltd, Ibaraki, JPN) ,  SAZAWA Hiroyuki (Sumitomo-Chemical Co., Ltd, Ibaraki, JPN) ,  TAKADA Tomoyuki (Sumitomo-Chemical Co., Ltd, Ibaraki, JPN) ,  SOTA Takayuki (Waseda Univ., Tokyo, JPN)
Material： Semiconductor Science and Technology  (Semicond Sci Technol)
Volume： 27  Issue： 10  Page： 105014,1-5  Publication year： Oct. 2012 
JST Material Number： E0503B  ISSN： 0268-1242  CODEN： SSTEET  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *band gap ,  *compound semiconductor ,  semiconductor material ,  hexagonal system ,  crystal structure ,  wurtzite type crystal ,  scandium ,  first principle ,  density functional method ,  *spontaneous polarization ,  aluminum compound ,  scandium compound ,  nitride ,  gallium compound

JST classification (1)： Electronic structure of crystalline semiconductors  (BM02060N)

Terms in the title (8)： GaN ,  格子整合 ,  合金 ,  自発分極 ,  バンドギャップ ,  湾曲 ,  第一原理 ,  研究