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J-GLOBAL ID：201202260281929096   Reference number：12A1547871

Ferroelectricity in HfO₂ enables nonvolatile data storage in 28nm HKMG

28nmHKMGの不揮発性データ蓄積を可能にするHfO₂強誘電性

Author (16)： MUELLER J. (Fraunhofer Center Nanoelectronic Technol., Dresden, DEU) ,  YURCHUK E. (NaMLab GmbH, Dresden, DEU) ,  SCHLOESSER T. (GLOBALFOUNDRIES, Dresden, DEU) ,  PAUL J. (Fraunhofer Center Nanoelectronic Technol., Dresden, DEU) ,  HOFFMANN R. (Fraunhofer Center Nanoelectronic Technol., Dresden, DEU) ,  MUELLER S. (NaMLab GmbH, Dresden, DEU) ,  SLESAZECK S. (NaMLab GmbH, Dresden, DEU) ,  POLAKOWSKI P. (Fraunhofer Center Nanoelectronic Technol., Dresden, DEU) ,  SUNDQVIST J. (Fraunhofer Center Nanoelectronic Technol., Dresden, DEU) ,  CZERNOHORSKY M. (Fraunhofer Center Nanoelectronic Technol., Dresden, DEU) ,  SEIDEL K. (Fraunhofer Center Nanoelectronic Technol., Dresden, DEU) ,  BOSCHKE R. (GLOBALFOUNDRIES, Dresden, DEU) ,  TRENTZSCH M. (GLOBALFOUNDRIES, Dresden, DEU) ,  GEBAUER K. (GLOBALFOUNDRIES, Dresden, DEU) ,  SCHROEDER U. (NaMLab GmbH, Dresden, DEU) ,  MIKOLAJICK T. (NaMLab GmbH, Dresden, DEU)
Material： Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology  (Symposium on VLSI Technology)
Volume： 2012  Page： 25-26  Publication year： 2012 
JST Material Number： A0035B  ISSN： 0743-1562  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： chemical vapor deposition ,  hafnium oxide ,  ferroelectrics ,  ferroelectricity ,  *nonvolatile memory ,  data storage ,  FET

JST classification (1)： Memory units  (JC04060F)

Terms in the title (4)： 不揮発性 ,  データ蓄積 ,  HfO2 ,  強誘電性