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J-GLOBAL ID：201202279478954664   Reference number：12A0636809

Atomically Smooth Gallium Nitride Surfaces Prepared by Chemical Etching with Platinum Catalyst in Water

水中における白金触媒利用化学エッチングにより調製した原子的に平滑なGaN表面

Author (8)： MURATA Junji (Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN) ,  OKAMOTO Takeshi (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  SADAKUNI Shun (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  HATTORI Azusa N. (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  YAGI Keita (Ebara Corp., Kanagawa, JPN) ,  SANO Yasuhisa (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  ARIMA Kenta (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  YAMAUCHI Kazuto (Osaka Univ., Osaka, JPN)
Material： Journal of the Electrochemical Society  (J Electrochem Soc)
Volume： 159  Issue： 4  Page： H417-H420  Publication year： 2012 
JST Material Number： C0285A  ISSN： 1945-7111  CODEN： JESOAN  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *gallium nitride ,  *crystal face ,  *smoothing ,  *surface ,  *platinum catalyst ,  *etching ,  optical property ,  Crystallography ,  current density ,  bilayer ,  periodic structure ,  steppe ,  photoluminescence ,  light emission ,  radiant intensity ,  low energy electron diffraction ,  degree of order ,  Friction ,  electrochemical reaction ,  terrace ,  band edge emission ,  emission intensity
Semi thesaurus term： *chemical etching ,  optical characteristics ,  low energy electron diffraction ,  ordering

JST classification (3)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V) ,  Salts  (CD01050V) ,  Crystal structure of other inorganic compounds  (BK07030J)

Terms in the title (6)： 水中 ,  白金触媒 ,  化学エッチング ,  調製 ,  原子 ,  GaN