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J-GLOBAL ID：201202286762051000   Reference number：12A0587113

TEOSで作製したa-Si:H/SiN多層膜光導波路の消光比特性

Author (4)： ONO TAKU (早稲田大 大学院) ,  SUGIYAMA YUTA (早稲田大 大学院) ,  TAMARU NAOYUKI (大妻女大) ,  KATO ISAMU (早稲田大 大学院)
Material： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Spring Meeting, Japan Society of Applied Physics and the Related Societies)
Volume： 59th  Page： ROMBUNNO.18A-GP4-17  Publication year： Feb. 29, 2012 
JST Material Number： Y0054B  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： silicon ,  silicon nitride ,  *optical waveguide ,  *extinction ratio ,  substrate temperature ,  *plasma CVD ,  thin film growth ,  dependence ,  length ,  aliphatic alcohol ,  inorganic acid ester ,  length dependence ,  microwave plasma CVD
Semi thesaurus term： MPCVD ,  導波路長

JST classification (1)： Optical waveguide,optical fibers,and fiber optics  (BD06030H)

Substance index (1)： Tetraethoxysilane

Terms in the title (7)： TEOS ,  作製 ,  Si ,  SiN ,  多層膜 ,  光導波路 ,  消光比