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J-GLOBAL ID：201202296793760071   Reference number：12A1217312

Collapse of Cr(OH)₃/n-Si Schottky barrier and growth of atomic bridging-type surface photovoltages in Cr-deposited n-type Si(001) wafers

Cr蒸着n型Si(001)ウエハにおけるCr(OH)₃/n-Si Schottky障壁の崩壊と原子架橋型表面光起電力の成長

Author (2)： SHIMIZU Hirofumi (Nihon Univ., Koriyama, JPN) ,  SANADA Yuji (Nihon Univ., Koriyama, JPN)
Material： Surface and Interface Analysis  (SIA)
Volume： 44  Issue： 8  Page： 1035-1038  Publication year： Aug. 2012 
JST Material Number： E0709A  ISSN： 0142-2421  CODEN： SIANDQ  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *Chromium ,  *wafer ,  *Schottky barrier ,  *photovoltage ,  silicon dioxide ,  negative electric charge ,  hydroxide ,  chromium compound ,  X-ray photoelectron spectrum ,  *surface photovoltage ,  *Si wafer
Semi thesaurus term： *Si wafer

JST classification (1)： Photoconduction,photoelectromotive force  (BM03050J)

Terms in the title (10)： Cr ,  蒸着 ,  Si ,  ウエハ ,  Schottky障壁 ,  崩壊 ,  原子 ,  架橋 ,  表面光起電力 ,  成長