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J-GLOBAL ID：201202297271852479   Reference number：12A1211095

Graphene FET with Diamondlike Carbon Dielectrics

ダイヤモンドライクカーボン絶縁膜を用いたグラフェンFET

Author (11)： TAKABAYASHI SUSUMU (東北大 電通研) ,  TAKABAYASHI SUSUMU (JST-CREST) ,  YANG Meng (東北大 多元物質科研) ,  OGAWA SHUICHI (東北大 多元物質科研) ,  HAYASHI HIROYUKI (東北大 多元物質科研) ,  KURITA YUKI (東北大 電通研) ,  TAKAKUWA YUJI (東北大 多元物質科研) ,  SUEMITSU TETSUYA (東北大 電通研) ,  SUEMITSU TETSUYA (JST-CREST) ,  OTSUJI TAIICHI (東北大 電通研) ,  OTSUJI TAIICHI (JST-CREST)
Material： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
Volume： 112  Issue： 154(ED2012 41-53)  Page： 67-72  Publication year： Jul. 19, 2012 
JST Material Number： S0532B  ISSN： 0913-5685  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *diamond-like carbon ,  insulating film ,  carbon material ,  *FET ,  device structure ,  Diamond ,  modulation doping ,  *graphene ,  CVD diamond ,  ore ,  precious stone
Semi thesaurus term： DLC (carbon) ,  tog gate structure

JST classification (2)： Transistors  (NC03070N) ,  Carbon and its compounds  (YB02060D)

Reference (37)：

• Ando, T. Exoticelectronic and transport properties of "ザ. Physica E. 2007, 40, 2, 213-227
• 安藤恒也. グラフヱンの特異な物理. 表面科学. 2008, 29, 5, 296-303
• Novoselov, K. S. Electric field effect in atomically thin carbon films. Science. 2004, 306, 5696, 666-669
• Morozov, S. V. Giant intrinsic carrier mobilities in graphene and its bilayer. Phys. Rev. l^t. 2008, 100, 1, 016602
• Bolotin, K. I. Ultrahigh electron mobility in suspended graphene. olid State CommuiP. 2008, 146, 9-10, 351-355

Terms in the title (3)： ダイヤモンドライクカーボン ,  絶縁膜 ,  グラフェンFET