Art

J-GLOBAL ID：201202297662277100   Reference number：12A0626838

Formation of Au/n-Si(100) Schottky Barrier Using Au Aqueous Solution

Au水溶液浸漬によるAu/n-Si(100)ショットキー障壁の形成

Author (2)： IKEDA MASANORI (日本大学工学部電気電子工学科) ,  SHIMIZU HIROFUMI (日本大学工学部電気電子工学科)
Material： 表面科学  (JSSSJ)
Volume： 33  Issue： 3  Page： 135-140 (J-STAGE)  Publication year： 2012 
JST Material Number： F0940B  ISSN： 0388-5321  Document type： Article
Article type： 解説  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *Schottky barrier ,  *Gold ,  *silicon ,  *spectroscopy ,  aqueous solution ,  metal cluster ,  N-type semiconductor ,  thermal oxidation ,  crystal face ,  atomic force microscope ,  X-ray photoelectron spectroscopy ,  grain size dependence ,  gold cluster ,  surface photovoltaic spectroscopy
Semi thesaurus term： SPVS (spectroscopy)

JST classification (1)： Semiconductor-metal contacts  (BM03084G)

Reference (27)：

• 1) H. Shimizu and C. Munakata: Semicond. Sci. Technol. 6, 756 (1991).
• 2) H. Shimizu and C. Munakata: Jpn. J. Appl. Phys. 30, 2446 (1991).
• 3) H. Shimizu and C. Munakata: J. Appl. Phys. 73, 8336 (1993).
• 4) H. Shimizu and C. Munakata: Jpn. J. Appl. Phys. 32, 3775 (1993).
• 5) H. Shimizu: J. Electrochem. Soc. 144, 4335 (1997).

Terms in the title (4)： Au ,  水溶液 ,  浸漬 ,  ショットキー障壁