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J-GLOBAL ID：201203008511688096

多孔質シリコン粒子及びその製造方法、並びにリチウムイオン二次電池用負極及びリチウムイオン二次電池

Inventor：
吉田 浩一

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三好 一富

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久留須 一彦

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谷 俊夫

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幡谷 耕二

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西村 健

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Applicant, Patent owner：
古河電気工業株式会社

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Agent (1)： 井上 誠一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2011202789
Publication number (International publication number)：2012084521
Application date： Sep. 16, 2011
Publication date： Apr. 26, 2012
Summary：
【課題】高容量と良好なサイクル特性を実現するリチウムイオン二次電池用の負極材料を得る。【解決手段】連続する空孔を有し、三次元網目構造を有する多孔質シリコン粒子であって、前記空孔が、前記多孔質シリコン粒子を貫通し、前記空孔内に、Cu、Ni、Sn、Zn、Ag、Cのいずれか1つ以上の導電性元素の単体又は合金を有することを特徴とする多孔質シリコン粒子である。前記導電性元素の単体又は合金が、前記空孔内の表面の少なくとも一部を被覆するか、前記空孔内の少なくとも一部に充填されていることが好ましい。また、このような多孔質シリコン粒子は、多孔質シリコン粒子への無電解メッキ、置換メッキ、炭素コーティングにより作製される。【選択図】図2
Claim (excerpt)：
連続する空孔を有し、三次元網目構造を有する多孔質シリコン粒子であって、 前記空孔が、前記多孔質シリコン粒子を貫通し、 前記空孔内に、Cu、Ni、Sn、Zn、Ag、Cのいずれか1つ以上の導電性元素の単体又は合金を有する ことを特徴とする多孔質シリコン粒子。
IPC (3)：
H01M 4/38 ,  H01M 4/36 ,  C01B 33/02
FI (4)：
H01M4/38 Z ,  H01M4/36 C ,  H01M4/36 A ,  C01B33/02 Z
F-Term (37)：
4G072AA01 ,  4G072BB15 ,  4G072DD02 ,  4G072DD03 ,  4G072DD04 ,  4G072DD05 ,  4G072GG01 ,  4G072HH01 ,  4G072JJ09 ,  4G072KK01 ,  4G072MM26 ,  4G072MM38 ,  4G072MM40 ,  4G072TT02 ,  4G072TT08 ,  4G072TT30 ,  4G072UU30 ,  5H050AA07 ,  5H050AA08 ,  5H050BA16 ,  5H050CA02 ,  5H050CA08 ,  5H050CA09 ,  5H050CB11 ,  5H050DA09 ,  5H050DA10 ,  5H050EA02 ,  5H050EA04 ,  5H050EA08 ,  5H050FA18 ,  5H050GA24 ,  5H050GA27 ,  5H050HA02 ,  5H050HA05 ,  5H050HA09 ,  5H050HA14 ,  5H050HA20
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
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Cited by examiner (4)
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