多孔質シリコン粒子及びその製造方法

Inventor： , , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：井上誠一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2011195723
Publication number (International publication number)：2012082125
Application date： Sep. 08, 2011
Publication date： Apr. 26, 2012
Summary：

【課題】高容量と良好なサイクル特性を実現するリチウムイオン電池用の負極材料に好適な多孔質シリコン粒子を得る。【解決手段】複数のシリコン微粒子3が接合してなる多孔質シリコン粒子1であって、前記多孔質シリコン粒子1の平均粒径が0.1μm〜1000μmであり、前記多孔質シリコン粒子1は連続した空隙を有する三次元網目構造を有し、前記多孔質シリコン粒子1の平均空隙率が15〜93%であり、半径方向で50%以上の表面近傍領域の空隙率Xsと、半径方向で50%以内の粒子内部領域の空隙率Xiの比であるXs/Xiが、0.5〜1.5であり、酸素を除く元素の比率でシリコンを80原子%以上含むことを特徴とする多孔質シリコン粒子1である。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

複数のシリコン微粒子が接合してなる多孔質シリコン粒子であって、前記多孔質シリコン粒子の平均粒径が0.1μm〜1000μmであり、前記多孔質シリコン粒子は連続した空隙を有する三次元網目構造を有し、前記多孔質シリコン粒子の平均空隙率が15〜93%であり、半径方向で50%以上の表面近傍領域の空隙率Xsと、半径方向で50%以内の粒子内部領域の空隙率Xiの比であるXs/Xiが、0.5〜1.5であり、酸素を除く元素の比率でシリコンを80原子%以上含むことを特徴とする多孔質シリコン粒子。

IPC (2)：

C01B 33/02 , H01M 4/38

FI (2)：

C01B33/02 Z , H01M4/38 Z

F-Term (30)：

4G072AA01 , 4G072BB05 , 4G072BB15 , 4G072DD02 , 4G072DD03 , 4G072DD04 , 4G072DD05 , 4G072GG03 , 4G072NN02 , 4G072RR12 , 4G072TT01 , 4G072TT30 , 4G072UU30 , 5H050AA07 , 5H050AA08 , 5H050AA19 , 5H050BA16 , 5H050CB11 , 5H050DA03 , 5H050FA13 , 5H050FA16 , 5H050FA17 , 5H050GA02 , 5H050GA06 , 5H050GA12 , 5H050GA27 , 5H050GA29 , 5H050HA04 , 5H050HA05 , 5H050HA09

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

リチウム二次電池用負極活物質およびリチウム二次電池
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2007-271412 Applicant：大同特殊鋼株式会社
リチウム二次電池用負極活物質及びその製造方法並びにリチウム二次電池
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-000446 Applicant：三星エスディアイ株式会社
負極材料およびそれを用いた電池
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-158464 Applicant：ソニー株式会社

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