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J-GLOBAL ID：201203012017534024

半導体デバイスおよび半導体デバイス製造方法

Inventor：
岩見 正之

About 岩見 正之


Applicant, Patent owner：
次世代パワーデバイス技術研究組合

About 次世代パワーデバイス技術研究組合


Agent (1)： 龍華国際特許業務法人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2011022087
Publication number (International publication number)：2012164718
Application date： Feb. 03, 2011
Publication date： Aug. 30, 2012
Summary：
【課題】III族窒化物半導体では、p型不純物を高濃度にイオン注入すると、結晶品質が低下してしまう。結晶品質が低下するとオフ電流が増加して、電子デバイス特性が低下する可能性がある。このため、III族窒化物半導体では、p+層を形成することが困難であった。【解決手段】III族窒化物半導体にドープされるとp型半導体になるp型不純物、および金属を有する合金からなる合金層と、合金層の下に接して形成され、III族窒化物半導体からなり、p型不純物が一部に拡散している半導体層と、合金層上に形成され、p型不純物の拡散係数が、半導体層より小さい拡散防止層と、を備える半導体デバイスを提供する。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
III族窒化物半導体にドープされるとp型半導体になるp型不純物、および金属を有する合金からなる合金層と、 前記合金層の下に接して形成され、前記III族窒化物半導体からなり、前記p型不純物が一部に拡散している半導体層と、 前記合金層上に形成され、前記p型不純物の拡散係数が、前記半導体層より小さい拡散防止層と、 を備える半導体デバイス。
IPC (5)：
H01L 21/28 ,  H01L 29/868 ,  H01L 29/861 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336
FI (4)：
H01L21/28 301B ,  H01L29/91 D ,  H01L29/91 F ,  H01L29/78 301B
F-Term (38)：
4M104AA04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB09 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB36 ,  4M104BB40 ,  4M104CC01 ,  4M104DD78 ,  4M104DD92 ,  4M104FF13 ,  4M104FF17 ,  4M104GG02 ,  4M104GG09 ,  5F140AA00 ,  5F140AA24 ,  5F140BA01 ,  5F140BA06 ,  5F140BA17 ,  5F140BB15 ,  5F140BE10 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BF43 ,  5F140BG28 ,  5F140BH14 ,  5F140BH21 ,  5F140BH30 ,  5F140BH43 ,  5F140BJ07 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ15 ,  5F140BK13 ,  5F140BK20 ,  5F140BK29
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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