薄膜電極、及びその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (5)：八田幹雄 , 奈良泰男 , 齋藤悦子 , 宇谷勝幸 , 藤井敏史
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004104946
Publication number (International publication number)：2004336021
Application date： Mar. 31, 2004
Publication date： Nov. 25, 2004
Summary：

【課題】実効キャリアー濃度が増加し、物質間のエネルギーバンドギャップ調節によりショットキー障壁が減少し、高い透過率を有する、優れた電気的、光学的、熱的及び構造的特性を有する新概念のオーミック接触システムを提供する。【解決手段】発光ダイオード又はレーザーダイオードにおいてオーミック接触を形成するための薄膜電極において、p型窒化ガリウム層上に積層され、Ni-X固溶体を含有する第1電極層と、前記第1電極層上に積層され、Au、Pt、Pd、Ni、Ru、Rh、Re、C、Cu、及びIrからなる群から選択される少なくとも1種以上の元素を含有する第2電極層と、を含むことを特徴とする、薄膜電極である。【選択図】図5

Claim (excerpt)：

発光ダイオード又はレーザーダイオードにおいてオーミック接触を形成するための薄膜電極において、 p型窒化ガリウム層上に積層され、Ni-X固溶体を含有する第1電極層と、前記第1電極層上に積層され、Au、Pt、Pd、Ni、Ru、Rh、Re、C、Cu、及びIrからなる群から選択される少なくとも1種以上の元素を含有する第2電極層と、を含むことを特徴とする、薄膜電極。

IPC (3)：

H01L21/28 , H01L33/00 , H01S5/042

FI (3)：

H01L21/28 301B , H01L33/00 E , H01S5/042 614

F-Term (31)：

4M104AA04 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104BB06 , 4M104BB07 , 4M104BB08 , 4M104BB09 , 4M104BB30 , 4M104BB36 , 4M104CC01 , 4M104DD34 , 4M104DD35 , 4M104DD37 , 4M104DD52 , 4M104DD79 , 4M104DD80 , 4M104FF13 , 4M104GG04 , 4M104HH15 , 5F041AA24 , 5F041CA34 , 5F041CA83 , 5F041CA84 , 5F041CA92 , 5F041CA98 , 5F173AF75 , 5F173AK02 , 5F173AK05 , 5F173AK08 , 5F173AK13

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

p型窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-207942 Applicant：日立電線株式会社
大韓民国特許出願公開第2001-2265号明細書

Cited by examiner (16)

半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-079122 Applicant：松下電子工業株式会社
発光半導体素子用透光性電極およびその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-118315 Applicant：昭和電工株式会社
III族窒化物系化合物半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-056357 Applicant：豊田合成株式会社

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