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J-GLOBAL ID：200903001285856444

III-V族化合物半導体発光素子のp側電極及びIII-V族化合物半導体発光素子

Inventor：
野崎 千晴

About 野崎 千晴

, 
ジョン レニ-

About ジョン レニ-


Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (1)： 外川 英明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998078929
Publication number (International publication number)：1999274554
Application date： Mar. 26, 1998
Publication date： Oct. 08, 1999
Summary：
【要約】【課題】 本発明は、III-V族化合物半導体発光素子において、p型コンタクト層とのコンタクト抵抗を低減でき、熱的に安定なp型電極を得ることにより、低しきい値電流、低動作電圧で、劣化を起こさず、優れた信頼性の実現を図る。【解決手段】 III-V族化合物半導体発光素子において、p側電極100としてp型コンタクト層9側から順に、コンタクト金属にMgX AuY (X>Y)層10、Pt層11、Au層12を積層して形成することにより、低抵抗で熱的に安定なp型コンタクトを実現できる。
Claim (excerpt)：
p型III-V族化合物半導体層上に、MgX AuY (X>Y)層と、Pt層、Mo層又はW層のうち少なくとも一つの金属層と、さらに、Au層とが順次積層されていることを特徴とするIII-V族化合物半導体発光素子のp側電極。
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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