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J-GLOBAL ID：201203016463790552
Siクラスレートの製造方法
Inventor：
,
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
特許業務法人広江アソシエイツ特許事務所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2011091814
Publication number (International publication number)：2012224488
Application date： Apr. 18, 2011
Publication date： Nov. 15, 2012
Summary：
【課題】ナトリウムを内包したII型のシリコンクラスレートを安定して大量に製造する方法を提供する。【解決手段】本発明のシリコンクラスレートの製造方法は、シリコンウエハとNaとを混合して650°C以上の温度で加熱し、SiとNaとからなる化合物を生成する陽圧加熱処理工程と、生成されたSiとNaとからなる化合物を、10-2Pa以下の陰圧下で300°C以上450°C以下の温度により1時間以上加熱する陰圧加熱処理工程とを備えている。Naは、シリコンクラスレートを生成するために用いられるSiに対するモル比が1.0よりも大きくなるように供給されることが好ましい。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
Siクラスレートの製造方法であって、
シリコンウエハとNaとを混合して650°C以上の温度で加熱して、SiとNaとからなる化合物を生成する陽圧加熱処理工程と、
前記陽圧加熱処理工程によって生成されたSiとNaとからなる前記化合物を、10-2Pa以下の陰圧下で300°C以上450°C以下の温度により1時間以上加熱する陰圧加熱処理工程と、
を備えていることを特徴とするSiクラスレートの製造方法。
IPC (1)：
FI (1)：
F-Term (11)：
4G072AA01
, 4G072AA02
, 4G072AA50
, 4G072BB09
, 4G072FF09
, 4G072GG03
, 4G072HH01
, 4G072JJ08
, 4G072LL03
, 4G072MM01
, 4G072UU02
Cited by examiner (2)
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クラスレート化合物薄膜の作製方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平10-147359
Applicant：日本電気株式会社
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クラスレート化合物およびその製造方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平7-342101
Applicant：日本電気株式会社
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