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J-GLOBAL ID：201203021976938230

酸化物半導体膜および半導体装置

Inventor： 山崎 舜平 ,  津吹 将志 ,  秋元 健吾 ,  大原 宏樹 ,  本田 達也 ,  小俣 貴嗣 ,  野中 裕介 ,  高橋 正弘 ,  宮永 昭治
Applicant, Patent owner： 株式会社半導体エネルギー研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2011260854
Publication number (International publication number)：2012134475
Application date： Nov. 29, 2011
Publication date： Jul. 12, 2012
Summary：

【課題】より電気伝導度の安定した酸化物半導体膜を提供することを課題の一とする。また、当該酸化物半導体膜を用いることにより、半導体装置に安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を提供することを課題の一とする。【解決手段】結晶性を有する領域を含み、当該結晶性を有する領域は、a-b面が膜表面に概略平行であり、c軸が膜表面に概略垂直である結晶よりなる酸化物半導体膜は、電気伝導度が安定しており、可視光や紫外光などの照射に対してもより電気的に安定な構造を有する。このような酸化物半導体膜をトランジスタに用いることによって、安定した電気的特性を有する、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

結晶性を有する領域を含み、 前記結晶性を有する領域は、a-b面が膜表面に概略平行であり、c軸が膜表面に概略垂直である結晶よりなり、 前記c軸方向から電子線を照射した電子線回折強度測定において、散乱ベクトルの大きさが3.3nm-1以上4.1nm-1以下のピークにおける半値全幅と、散乱ベクトルの大きさが5.5nm-1以上7.1nm-1以下のピークにおける半値全幅が0.2nm-1以上である酸化物半導体膜。

IPC (6)：

H01L 21/363 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/136 ,  H01L 51/50 ,  C23C 14/08

FI (10)：

H01L21/363 ,  H01L29/78 618Z ,  H01L29/78 618E ,  H01L29/78 620 ,  H01L29/78 618B ,  G02F1/1368 ,  H05B33/14 A ,  C23C14/08 K ,  C23C14/08 D ,  C23C14/08 C

F-Term (117)：

2H092JA25 ,  2H092JA26 ,  2H092KA08 ,  2H092MA04 ,  2H092MA05 ,  2H092MA08 ,  2H092MA10 ,  2H092MA13 ,  2H092MA17 ,  2H092MA29 ,  2H092NA24 ,  3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107CC21 ,  3K107EE03 ,  4K029BA47 ,  4K029BA49 ,  4K029BA50 ,  4K029BB07 ,  4K029BD01 ,  4K029CA05 ,  4K029DA08 ,  4K029DC05 ,  4K029FA01 ,  4K029GA00 ,  5F103AA08 ,  5F103BB05 ,  5F103BB22 ,  5F103BB41 ,  5F103BB54 ,  5F103DD30 ,  5F103HH07 ,  5F103HH08 ,  5F103LL08 ,  5F103LL13 ,  5F103NN01 ,  5F103PP11 ,  5F103PP12 ,  5F103RR04 ,  5F103RR05 ,  5F110AA14 ,  5F110BB01 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD07 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE14 ,  5F110EE15 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF35 ,  5F110GG01 ,  5F110GG06 ,  5F110GG17 ,  5F110GG19 ,  5F110GG25 ,  5F110GG26 ,  5F110GG33 ,  5F110GG34 ,  5F110GG35 ,  5F110GG43 ,  5F110GG58 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK34 ,  5F110HL01 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HL07 ,  5F110HL11 ,  5F110HL12 ,  5F110HL22 ,  5F110HL23 ,  5F110HL24 ,  5F110HM04 ,  5F110HM05 ,  5F110NN02 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN34 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110PP10 ,  5F110PP13 ,  5F110PP35 ,  5F110QQ01 ,  5F110QQ02 ,  5F110QQ06 ,  5F110QQ09

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 半導体デバイス及び該半導体デバイスの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-172301   Applicant：株式会社村田製作所
• 光起電力素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-144547   Applicant：キヤノン株式会社
• トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-302680   Applicant：凸版印刷株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 結晶成長ハンドブック, 19950901, 第22頁