ナノ粒子の低温合成法

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：三枝英二 , 掛樋悠路 , 斎藤健治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004335914
Publication number (International publication number)：2006143526
Application date： Nov. 19, 2004
Publication date： Jun. 08, 2006
Summary：

【課題】高い発光量子収率を示す量子ドットを提供すること。【解決手段】金属化合物と5B族もしくは6B族原子の供給源である化合物とを、トリオクチルホスフィン(TOP)中、4°C〜50°Cの温度で反応させることを特徴とする、金属化合物の金属と5B族もしくは6B族原子とからなるナノ粒子の製造方法。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

金属化合物と5B族もしくは6B族原子の供給源である化合物とを、トリオクチルホスフィン(TOP)中、4°C〜50°Cの温度で反応させることを特徴とする、金属化合物の金属と5B族もしくは6B族原子とからなるナノ粒子の製造方法。

IPC (9)：

C01B 19/04 , C01B 25/08 , C01G 9/08 , C01G 11/02 , C01G 15/00 , C09K 11/08 , C09K 11/56 , C09K 11/70 , C09K 11/74

FI (11)：

C01B19/04 C , C01B19/04 H , C01B25/08 A , C01G9/08 , C01G11/02 , C01G15/00 D , C09K11/08 A , C09K11/08 G , C09K11/56 , C09K11/70 , C09K11/74

F-Term (18)：

4G047BA01 , 4G047BB01 , 4G047BC02 , 4G047BD03 , 4H001CA02 , 4H001CC13 , 4H001CF01 , 4H001XA13 , 4H001XA15 , 4H001XA16 , 4H001XA30 , 4H001XA31 , 4H001XA33 , 4H001XA34 , 4H001XA48 , 4H001XA49 , 4H001XA51 , 4H001XA52

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

U.S. 5,990,479
U.S. 6,194,213

Cited by examiner (6)

金属または金属-カルコゲンナノ粒子の液相合成法およびこれを用いた相変化光記録媒体
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-202281 Applicant：富士写真フイルム株式会社
半導体超微粒子反応試剤
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-198094 Applicant：三井化学株式会社
ナノクリスタライトの調製
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2002-548750 Applicant：マサチューセッツインスティテュートオブテクノロジー

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

蛍光性半導体量子ドットの低温合成法

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