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J-GLOBAL ID:201203040121444960

錯体

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (2): 酒井 宏明 ,  寺崎 直
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2011098931
Publication number (International publication number):2012229181
Application date: Apr. 27, 2011
Publication date: Nov. 22, 2012
Summary:
【課題】多座ピリジル系の配位子と特定の配位子を組み合わせて用いることによって、膜状態で優れた発光量子効率を示す錯体を提供する。【解決手段】組成式(1)で表される錯体(式中、Mは金属のイオンであり、Yは-C(R4)=C(R5)-、-N=C(R6)-、-N(R7)-、-O-、又は-S-であり、Spは炭素原子数が1から18の範囲の直鎖状又は分岐状のアルキレン基であり、Coreは炭素原子数が1から30の範囲のn+m価の炭化水素基か、又は、炭素原子数が1から30の範囲のn+m価のヘテロ化合物残基であり、R1は炭素原子数が1から18の範囲の直鎖状又は分岐状のアルキル基であり、mは0以上6以下の整数であり、nは2以上6以下の整数であり、Xはアニオンであり、a、b、及びcはそれぞれ独立に正の数である。)、及び該錯体を含有する膜を提供する。【化1】【選択図】なし
Claim (excerpt):
下記組成式(1)で表される錯体。
IPC (6):
C07D 213/22 ,  C09K 11/06 ,  C07F 1/08 ,  C07F 9/655 ,  C07F 9/50 ,  H01L 51/50
FI (6):
C07D213/22 ,  C09K11/06 660 ,  C07F1/08 C ,  C07F9/655 ,  C07F9/50 ,  H05B33/14 B
F-Term (28):
3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107BB02 ,  3K107BB03 ,  3K107BB04 ,  3K107BB06 ,  3K107CC04 ,  3K107DD64 ,  4C055AA01 ,  4C055BA03 ,  4C055BA05 ,  4C055BA06 ,  4C055BA25 ,  4C055CA01 ,  4C055DA01 ,  4C055EA02 ,  4C055GA02 ,  4H048AA01 ,  4H048AA03 ,  4H048AB92 ,  4H048VA12 ,  4H048VA22 ,  4H048VA32 ,  4H048VA45 ,  4H048VB10 ,  4H050AA01 ,  4H050AA03 ,  4H050AB92
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (10)
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Cited by examiner (10)
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