錯体

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (2)：酒井宏明 , 寺崎直
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2011098931
Publication number (International publication number)：2012229181
Application date： Apr. 27, 2011
Publication date： Nov. 22, 2012
Summary：

【課題】多座ピリジル系の配位子と特定の配位子を組み合わせて用いることによって、膜状態で優れた発光量子効率を示す錯体を提供する。【解決手段】組成式(1)で表される錯体(式中、Mは金属のイオンであり、Yは-C(R4)=C(R5)-、-N=C(R6)-、-N(R7)-、-O-、又は-S-であり、Spは炭素原子数が1から18の範囲の直鎖状又は分岐状のアルキレン基であり、Coreは炭素原子数が1から30の範囲のn+m価の炭化水素基か、又は、炭素原子数が1から30の範囲のn+m価のヘテロ化合物残基であり、R1は炭素原子数が1から18の範囲の直鎖状又は分岐状のアルキル基であり、mは0以上6以下の整数であり、nは2以上6以下の整数であり、Xはアニオンであり、a、b、及びcはそれぞれ独立に正の数である。)、及び該錯体を含有する膜を提供する。【化1】【選択図】なし

Claim (excerpt)：

下記組成式(1)で表される錯体。

IPC (6)：

C07D 213/22 , C09K 11/06 , C07F 1/08 , C07F 9/655 , C07F 9/50 , H01L 51/50

FI (6)：

C07D213/22 , C09K11/06 660 , C07F1/08 C , C07F9/655 , C07F9/50 , H05B33/14 B

F-Term (28)：

3K107AA01 , 3K107BB01 , 3K107BB02 , 3K107BB03 , 3K107BB04 , 3K107BB06 , 3K107CC04 , 3K107DD64 , 4C055AA01 , 4C055BA03 , 4C055BA05 , 4C055BA06 , 4C055BA25 , 4C055CA01 , 4C055DA01 , 4C055EA02 , 4C055GA02 , 4H048AA01 , 4H048AA03 , 4H048AB92 , 4H048VA12 , 4H048VA22 , 4H048VA32 , 4H048VA45 , 4H048VB10 , 4H050AA01 , 4H050AA03 , 4H050AB92

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (10)

発光性遷移金属錯体
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2009-014911 Applicant：公立大学法人大阪市立大学
金属錯体蛍光体
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-067142 Applicant：伊東忍, 舘祥光, 住友化学株式会社
白色LED用金属錯体蛍光体
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-004959 Applicant：住友化学株式会社, 伊東忍, 舘祥光

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