ナノワイヤ太陽電池

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：特許業務法人創成国際特許事務所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2011045624
Publication number (International publication number)：2012182389
Application date： Mar. 02, 2011
Publication date： Sep. 20, 2012
Summary：

【課題】十分に光を吸収でき、優れた発電効率を備えるナノワイヤ太陽電池を提供する。【解決手段】ナノワイヤ太陽電池1は、半導体基板2から垂直方向に成長しており、半導体基板2上に平面視三角格子状に配置された複数のナノワイヤ半導体3を備える。ナノワイヤ半導体3の横断面に内接する内接円Cの直径をd、相隣り合うナノワイヤ半導体3,3同士の間隔をg、基板2表面からのナノワイヤ半導体3の高さをhとするときに、間隔gに対する高さhの比(h/g)が10〜40の範囲にあり、かつ、内接円Cの直径dが100〜300nmの範囲にある。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

半導体基板と、該半導体基板から垂直方向に成長しており、該半導体基板上に平面視三角格子状に配置された複数のナノワイヤ半導体とを備えるナノワイヤ太陽電池において、該ナノワイヤ半導体の横断面に内接する内接円の直径をd、相隣り合う該ナノワイヤ半導体同士の間隔をg、該基板表面からの該ナノワイヤ半導体の高さをhとするときに、間隔gに対する高さhの比(h/g)が10〜40の範囲にあり、かつ、内接円の直径dが100〜300nmの範囲にあることを特徴とするナノワイヤ太陽電池。

IPC (1)：

H01L 31/04

FI (1)：

H01L31/04 E

F-Term (4)：

5F151AA08 , 5F151CB08 , 5F151CB12 , 5F151CB21

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (7)

ナノワイヤ太陽電池及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2009-106213 Applicant：本田技研工業株式会社, 国立大学法人北海道大学
ナノ構造およびそれを実施する光起電力セル
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2008-540018 Applicant：キュー・ワン・ナノシステムズ・インコーポレイテッド
高効率無機ナノロッド強化光起電素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2006-066840 Applicant：ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ

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Cited by examiner (8)

ナノワイヤ太陽電池及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2009-106213 Applicant：本田技研工業株式会社, 国立大学法人北海道大学
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