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J-GLOBAL ID：200903062051440774

ナノ構造およびそれを実施する光起電力セル

Inventor： アルゴ,ブライアン ,  ビドゥ,ルクサンドラ ,  ストゥルーブ,ピーター ,  アルゴ,ジョン ,  イスラム,サイフ ,  クー,ジエ-レン ,  チェン,マイケル
Applicant, Patent owner： キュー・ワン・ナノシステムズ・インコーポレイテッド
Agent (7)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行 ,  荒川 伸夫
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2008540018
Publication number (International publication number)：2009507398
Application date： Aug. 22, 2006
Publication date： Feb. 19, 2009
Summary：

本発明の1つの実施形態に係る光起電力ナノ構造は、第1の電極に接続されている導電性ナノケーブル、ナノケーブルの少なくとも2面に沿って伸びている第2の電極、およびナノケーブルと第2の電極との間に形成される光起電力的に活性なp-n接合を含む。1つの実施形態に係る光起電力アレイは、上で列挙したような複数の光起電力ナノ構造を備える。ナノ構造を形成するための方法もまた示す。

Claim (excerpt)：

第1の電極に接続されている導電性ナノケーブル; 前記ナノケーブルの少なくとも2面に沿って伸びている第2の電極;および 前記ナノケーブルと前記第2の電極との間に形成された光起電力的に活性なp-n接合 を含む、光起電力ナノ構造。

IPC (2)：

H01L 31/042 ,  H01L 31/04

FI (2)：

H01L31/04 C ,  H01L31/04 S

F-Term (15)：

5F051AA02 ,  5F051AA03 ,  5F051AA05 ,  5F051AA09 ,  5F051CA15 ,  5F051CB12 ,  5F051CB21 ,  5F051DA01 ,  5F051DA03 ,  5F051DA16 ,  5F051DA20 ,  5F051EA01 ,  5F051FA04 ,  5F051GA03 ,  5F051GA04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

• 特開平3-151672
  
• シリコン構造体、その製造方法及びその製造装置、並びにシリコン構造体を用いた太陽電池
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-221017   Applicant：松下電器産業株式会社
• 特開昭53-031987
  
• 薄膜太陽電池およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-220870   Applicant：富士電機株式会社
• チタンナノ細線、チタンナノ細線の製造方法、構造体及び電子放出素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-313939   Applicant：キヤノン株式会社
• ナノ構造体、その製造方法、細線構造体および光触媒
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-209786   Applicant：キヤノン株式会社
• ナノ構造体及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-290536   Applicant：キヤノン株式会社
• 特開平4-296060
  

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• Aligned Single-Crystalline Si Nanowire Arrays for Photovoltaic Applications