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J-GLOBAL ID：201203068956955844

光電変換素子及び光電気化学電池

Inventor：
小林 克

About 小林 克

, 
薄 達也

About 薄 達也

, 
木村 桂三

About 木村 桂三


Applicant, Patent owner：
富士フイルム株式会社

About 富士フイルム株式会社


Agent (3)： 飯田 敏三 ,  梅山 謙介 ,  宮前 尚祐
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2011094313
Publication number (International publication number)：2012227015
Application date： Apr. 20, 2011
Publication date： Nov. 15, 2012
Summary：
【課題】変換効率が高く、さらに耐久性に優れた光電変換素子及び光電気化学電池を提供する。【解決手段】導電性支持体、色素を含む多孔質半導体層で構成された感光体層、正孔輸送層、及び対極を少なくとも備える光電変換素子であって、該多孔質半導体層が下記一般式(1)で表される色素を含有し、かつ該正孔輸送層が固体である光電変換素子。 Mz(LL1)m1(LL2)m2(X)m3・CI ・・・一般式(1) Mzは金属原子を表し、LL1は特定の2座又は3座の配位子、LL2は特定の置換基を有していてもよい2座又は3座の配位子、Xは特定の基等で配位する1座又は2座の配位子をそれぞれ表し、m1及びm3は0〜3の整数、m2は0〜2の整数を表す。CIは電荷中和の対イオンを表す。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
導電性支持体、色素を含む多孔質半導体層で構成された感光体層、正孔輸送層、及び対極を少なくとも備える光電変換素子であって、 該多孔質半導体層が下記一般式(1)で表される少なくとも1つの色素を含有し、かつ該正孔輸送層が固体であることを特徴とする光電変換素子。 Mz(LL1)m1(LL2)m2(X)m3・CI ・・・一般式(1) [一般式(1)において、Mzは金属原子を表し、LL1は下記一般式(2)で表される2座又は3座の配位子であり、LL2は下記一般式(3)で表される置換基を有していてもよい2座又は3座の配位子である。 m1は0〜3の整数を表し、m1が2以上のときLL1は同じでも異なっていてもよい。m2は0〜2の整数を表し、m2が2のときLL2は同じでも異なっていてもよい。ただし、m1とm2のいずれか一方は1以上の整数である。m3は0〜3の整数を表す。 Xは配位子を表し、アシルオキシ基、アシルチオ基、チオアシルオキシ基、チオアシルチオ基、アシルアミノオキシ基、チオカルバメート基、ジチオカルバメート基、チオカルボネート基、ジチオカルボネート基、トリチオカルボネート基、アシル基、チオシアネート基、イソチオシアネート基、シアネート基、イソシアネート基、シアノ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アルコキシ基及びアリールオキシ基からなる群から選ばれた基で配位する1座又は2座の配位子、あるいはハロゲン原子、カルボニル、ジアルキルケトン、1,3-ジケトン、カルボンアミド、チオカルボンアミド又はチオ尿素からなる1座又は2座の配位子を表す。 CIは電荷を中和させるのに対イオンが必要な場合の対イオンを表す。]
IPC (3)：
H01M 14/00 ,  C09B 23/00 ,  H01L 31/04
FI (4)：
H01M14/00 P ,  C09B23/00 L ,  C09B23/00 M ,  H01L31/04 Z
F-Term (12)：
4H056CA02 ,  4H056CB06 ,  4H056CC02 ,  4H056CE03 ,  5F151AA14 ,  5H032AA06 ,  5H032AS06 ,  5H032AS16 ,  5H032EE16 ,  5H032EE20 ,  5H032HH00 ,  5H032HH04
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (7)
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Article cited by the Patent：
Cited by examiner (1)

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