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J-GLOBAL ID：201203084741902818

ダイアモンド層を有する窒化ガリウム層の製造

Inventor： コレンスタイン,ラルフ ,  バーンスタイン,スティーブン・ディー ,  ペレイラ,スティーブン・ジェイ
Applicant, Patent owner： レイセオン カンパニー
Agent (5)： 小野 新次郎 ,  小林 泰 ,  千葉 昭男 ,  富田 博行 ,  上田 忠
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2011542360
Publication number (International publication number)：2012513674
Application date： Dec. 16, 2009
Publication date： Jun. 14, 2012
Summary：

一態様における方法は、第1熱伝導率を有する第1ダイアモンド層と、第1熱伝導率よりも高い第2熱伝導率を有する第2ダイアモンド層とを有する窒化ガリウム(GaN)層を製造するステップを含む。この製造するステップは、第2ダイアモンド層を第1ダイアモンド層上に堆積させるために、マイクロ波プラズマ化学蒸着(CVD)プロセスを用いるステップを含む。【選択図】 図1A、図1B

Claim (excerpt)：

第1熱伝導率を有する第1ダイアモンド層と前記第1熱伝導率よりも高い第2熱伝導率を有する第2ダイアモンド層とを有する窒化ガリウム(GaN)層を製造するステップを含む方法であって、該製造するステップが、 前記第2ダイアモンド層を前記第1ダイアモンド層上に堆積させるためにマイクロ波プラズマ化学蒸着(CVD)プロセスを用いることを含む、方法。

IPC (7)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/205 ,  C23C 16/27 ,  C23C 16/01

FI (5)：

H01L21/20 ,  H01L29/80 H ,  H01L21/205 ,  C23C16/27 ,  C23C16/01

F-Term (39)：

4K030BA08 ,  4K030BA28 ,  4K030BA38 ,  4K030BB12 ,  4K030CA04 ,  4K030CA17 ,  4K030FA01 ,  4K030FA17 ,  4K030LA14 ,  5F045AA03 ,  5F045AA09 ,  5F045AB07 ,  5F045AF03 ,  5F045CA07 ,  5F045DA52 ,  5F102FA02 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR09 ,  5F102GS04 ,  5F102GV05 ,  5F102HC01 ,  5F152LL03 ,  5F152LL04 ,  5F152LL13 ,  5F152LP08 ,  5F152MM05 ,  5F152NN03 ,  5F152NN05 ,  5F152NN13 ,  5F152NN15 ,  5F152NN29 ,  5F152NP02 ,  5F152NQ09

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

• ダイアモンド基板上炭化珪素並びに関連するデバイス及び方法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2006-551378   Applicant：クリーインコーポレイテッド
• 熱伝導性が高いダイヤモンドの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-252110   Applicant：ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ
• 半導体部材、半導体装置およびそれらの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-107340   Applicant：キヤノン株式会社
• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-011415   Applicant：ソニー株式会社
• 窒化物半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2007-244508   Applicant：パナソニック株式会社
• 特開平4-022172
  

Cited by examiner (6)

• ダイアモンド基板上炭化珪素並びに関連するデバイス及び方法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2006-551378   Applicant：クリーインコーポレイテッド
• 熱伝導性が高いダイヤモンドの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-252110   Applicant：ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ
• 半導体部材、半導体装置およびそれらの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-107340   Applicant：キヤノン株式会社
• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-011415   Applicant：ソニー株式会社
• 窒化物半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2007-244508   Applicant：パナソニック株式会社
• 特開平4-022172