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J-GLOBAL ID：201203085075659950

磁気抵抗素子および磁気メモリ

Inventor： 大 坊 忠 臣 ,  伊 藤 順 一 ,  甲 斐 正 ,  天 野 実 ,  與 田 博 明 ,  宮▲崎▼照 宣 ,  水 上 成 美 ,  窪 田 崇 秀 ,  薬師寺 啓 ,  湯 浅 新 治 ,  久保田 均 ,  福 島 章 雄 ,  長 浜 太 郎 ,  安 藤 功 兒
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝 ,  国立大学法人 東北大学 原子分子材料科学高等研究機構 ,  独立行政法人産業技術総合研究所
Agent (5)： 勝沼 宏仁 ,  佐藤 泰和 ,  川崎 康 ,  関根 毅 ,  赤岡 明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2011068868
Publication number (International publication number)：2012204683
Application date： Mar. 25, 2011
Publication date： Oct. 22, 2012
Summary：

【課題】垂直磁気異方性を有するとともにより大きな磁気抵抗効果を発現することが可能な磁気抵抗素子およびこれを用いた磁気メモリを提供する。【解決手段】下地層と、下地層上に設けられ、膜面に垂直方向に磁化容易軸を有し、MnxGa100-x(45≦x<64atm%)である磁性体膜を含む第1の磁性層と、第1の磁性層上に設けられた第1の非磁性層と、第1の非磁性層上に設けられ、膜面に垂直方向に磁化容易軸を有し、MnyGa100-y(45≦x<64atm%)である磁性体膜を含む第2の磁性層と、を備え、第1および第2の磁性層のMnの組成比が異なり、第1の非磁性層を介して第1の磁性層と第2の磁性層との間に流れる電流によって、第1の磁性層の磁化方向が可変となる。【選択図】図3

Claim (excerpt)：

下地層と、 前記下地層上に設けられ、膜面に垂直方向に磁化容易軸を有し、MnxGa100-x(45≦x<64atm%)である磁性体膜を含む第1の磁性層と、 前記第1の磁性層上に設けられた第1の非磁性層と、 前記第1の非磁性層上に設けられ、膜面に垂直方向に磁化容易軸を有し、MnyGa100-y(45≦x<64atm%)である磁性体膜を含む第2の磁性層と、 を備え、前記第1および第2の磁性層のMnの組成比が異なり、前記第1の非磁性層を介して前記第1の磁性層と前記第2の磁性層との間に流れる電流によって、前記第1の磁性層の磁化方向が可変となることを特徴とする磁気抵抗素子。

IPC (6)：

H01L 27/105 ,  H01L 21/824 ,  H01L 29/82 ,  H01L 43/08 ,  H01L 43/10 ,  H01F 10/32

FI (5)：

H01L27/10 447 ,  H01L29/82 Z ,  H01L43/08 Z ,  H01L43/08 M ,  H01F10/32

F-Term (47)：

4M119AA17 ,  4M119BB01 ,  4M119CC05 ,  4M119DD03 ,  4M119DD05 ,  4M119DD06 ,  4M119DD09 ,  4M119DD17 ,  4M119DD33 ,  4M119DD45 ,  4M119EE22 ,  4M119EE27 ,  4M119FF05 ,  4M119FF06 ,  4M119FF15 ,  4M119FF17 ,  5E049AA10 ,  5E049AC05 ,  5E049BA30 ,  5E049CB02 ,  5E049DB02 ,  5E049DB14 ,  5F092AA02 ,  5F092AB08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD03 ,  5F092AD23 ,  5F092AD25 ,  5F092BB10 ,  5F092BB12 ,  5F092BB22 ,  5F092BB23 ,  5F092BB24 ,  5F092BB34 ,  5F092BB35 ,  5F092BB36 ,  5F092BB42 ,  5F092BB43 ,  5F092BB44 ,  5F092BC03 ,  5F092BC07 ,  5F092BC12 ,  5F092BC13 ,  5F092BC14 ,  5F092BE13 ,  5F092BE21 ,  5F092BE24

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

• 磁気抵抗素子及び磁気メモリ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-178615   Applicant：株式会社東芝
• 磁気抵抗素子および磁気メモリ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2009-079633   Applicant：株式会社東芝, 国立大学法人東北大学
• 磁気抵抗素子および磁気メモリ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2008-083760   Applicant：株式会社東芝
• 磁気抵抗効果素子及び磁気ランダムアクセスメモリ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2008-084939   Applicant：株式会社東芝
• 磁気抵抗素子及び磁気メモリ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2007-094887   Applicant：株式会社東芝

Cited by examiner (5)

• 磁気抵抗素子及び磁気メモリ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-178615   Applicant：株式会社東芝
• 磁気抵抗素子および磁気メモリ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2009-079633   Applicant：株式会社東芝, 国立大学法人東北大学
• 磁気抵抗素子および磁気メモリ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2008-083760   Applicant：株式会社東芝
• 磁気抵抗効果素子及び磁気ランダムアクセスメモリ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2008-084939   Applicant：株式会社東芝
• 磁気抵抗素子及び磁気メモリ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2007-094887   Applicant：株式会社東芝