半導体装置およびその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：稲岡耕作 , 川崎実夫 , 京村順二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2011101786
Publication number (International publication number)：2012178536
Application date： Apr. 28, 2011
Publication date： Sep. 13, 2012
Summary：

【課題】オフ時の絶縁破壊耐圧を向上させることができ、さらにチャネル特性を制御できる半導体装置およびその製造方法を提供すること。【解決手段】n+型のSiC基板5上に、ボディ領域12、ドリフト領域13およびソース領域14を有するn-型のSiCエピタキシャル層8を形成し、ソース領域14およびボディ領域12を貫通し、ドリフト領域13に達するゲートトレンチ15を形成する。このゲートトレンチ15には、ゲート絶縁膜22を介してゲート電極23を埋め込む。そして、格子状のゲートトレンチ15に沿ってゲート耐圧保持領域27を形成する。ゲート耐圧保持領域27は、ゲートトレンチ15の交差部17に形成された第1領域29と、ゲートトレンチ15の線状部16に形成された第2領域30とを一体的に含んでいる。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

側壁および底壁が形成されたゲートトレンチを有するワイドバンドギャップ半導体からなる半導体層と、前記ゲートトレンチの前記側壁および前記底壁上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜を介して前記半導体層に対向するように、前記ゲートトレンチに埋め込まれたゲート電極とを含み、前記半導体層は、前記半導体層の表面側に露出するように形成され、前記ゲートトレンチの前記側壁の一部を形成する第1導電型のソース領域と、前記ソース領域に対して前記半導体層の裏面側に前記ソース領域に接するように形成され、前記ゲートトレンチの前記側壁の一部を形成する第2導電型のボディ領域と、前記ボディ領域に対して前記半導体層の前記裏面側に前記ボディ領域に接するように形成され、前記ゲートトレンチの前記底壁を形成する第1導電型のドリフト領域と、前記ゲートトレンチの一部の領域において、前記側壁と前記底壁とが交わる前記ゲートトレンチのエッジ部に選択的に形成された第2導電型の第1耐圧保持領域とを含む、半導体装置。

IPC (3)：

H01L 29/78 , H01L 21/336 , H01L 29/12

FI (10)：

H01L29/78 652J , H01L29/78 652S , H01L29/78 653A , H01L29/78 652C , H01L29/78 652H , H01L29/78 652M , H01L29/78 658G , H01L29/78 658A , H01L29/78 652D , H01L29/78 652T

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

絶縁ゲート半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-331321 Applicant：関西電力株式会社, 株式会社日立製作所
絶縁ゲート型半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-103151 Applicant：株式会社東芝
炭化珪素半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2007-072626 Applicant：株式会社デンソー

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