Pat

J-GLOBAL ID：201203094682925383

ホウ素及び窒素で置換されたグラフェン及びその製造方法、並びにそれを具備したトランジスタ

Inventor： 李 晟熏 ,  徐 順愛 ,  禹 輪成 ,  鄭 現鍾 ,  許 鎭盛
Applicant, Patent owner： 三星電子株式会社
Agent (2)： 渡邊 隆 ,  実広 信哉
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2011133050
Publication number (International publication number)：2012001431
Application date： Jun. 15, 2011
Publication date： Jan. 05, 2012
Summary：

【課題】ホウ素及び窒素で置換されたグラフェン及びその製造方法、並びにそれを具備したトランジスタを提供する。【解決手段】ホウ素及び窒素が炭素原子の1-20%置換されるグラフェンである。該ボロン及び窒素で置換されたグラフェンは、ほぼ0.05-0.45eVのバンドギャップを有するので、電界効果トランジスタのチャネルとして使われうる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

炭素元素の一部がホウ素及び窒素で置換されてバンドギャップが形成されたグラフェン。

IPC (6)：

C01B 31/02 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  B82B 1/00 ,  H01L 51/40 ,  H01L 51/05

FI (7)：

C01B31/02 101Z ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618F ,  H01L29/78 618A ,  B82B1/00 ,  H01L29/28 310E ,  H01L29/28 100A

F-Term (18)：

4G146AA01 ,  4G146AA17 ,  4G146AB07 ,  4G146BC09 ,  4G146BC45 ,  4G146BC50 ,  4G146CA17 ,  5F110AA06 ,  5F110CC01 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE03 ,  5F110EE09 ,  5F110FF02 ,  5F110GG01 ,  5F110GG07 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 半導体装置、半導体装置の製造方法およびトランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2008-126441   Applicant：富士通株式会社
• 半導体カーボン膜、半導体素子、及び半導体カーボン膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2009-014643   Applicant：株式会社デンソー
• 光電変換素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-334641   Applicant：トヨタ自動車株式会社
• 炭素膜の製造方法及び被処理膜
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-155461   Applicant：北海道大学長
• ホウ素、炭素、窒素を主成分とする固体材料の製造法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-009946   Applicant：セントラル硝子株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• Atomic layers of hybridized boron nitride and graphene domains