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J-GLOBAL ID：201203096817094501

半導体装置の作製方法

Inventor：
山崎 舜平

About 山崎 舜平


Applicant, Patent owner：
株式会社半導体エネルギー研究所

About 株式会社半導体エネルギー研究所


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2011105570
Publication number (International publication number)：2011258939
Application date： May. 10, 2011
Publication date： Dec. 22, 2011
Summary：
【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化することを目的の一とする。【解決手段】ゲート電極を形成し、ゲート電極上に第1の絶縁膜を形成し、第1の絶縁膜にハロゲンドープ処理を行って、第1の絶縁膜にハロゲン原子を供給し、第1の絶縁膜上に、ゲート電極と重畳して酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜に熱処理を行って、酸化物半導体膜中の水素原子を除去し、水素原子が除去された酸化物半導体膜に酸素ドープ処理を行って、酸化物半導体膜中に酸素原子を供給し、酸素原子が供給された酸化物半導体膜に熱処理を行い、酸化物半導体膜上に接して、ソース電極およびドレイン電極を形成し、第2の絶縁膜を形成する半導体装置の作製方法である。【選択図】図2
Claim (excerpt)：
ゲート電極を形成し、 前記ゲート電極上に第1の絶縁膜を形成し、 前記第1の絶縁膜にハロゲンドープ処理を行って、前記第1の絶縁膜にハロゲン原子を供給し、 前記第1の絶縁膜上に、前記ゲート電極と重畳して酸化物半導体膜を形成し、 前記酸化物半導体膜に熱処理を行って、前記酸化物半導体膜中の水素原子を除去し、 前記水素原子が除去された酸化物半導体膜に酸素ドープ処理を行って、前記酸化物半導体膜中に酸素原子を供給し、 前記酸素原子が供給された前記酸化物半導体膜に熱処理を行い、 前記酸化物半導体膜上に接して、ソース電極およびドレイン電極を形成し、 前記酸化物半導体膜上に接して、第2の絶縁膜を形成する半導体装置の作製方法。
IPC (10)：
H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 21/265 ,  G02F 1/136 ,  H01L 51/50
FI (12)：
H01L29/78 617S ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618F ,  H01L29/78 619A ,  H01L29/78 627F ,  H01L29/78 617T ,  H01L27/10 321 ,  H01L27/10 434 ,  H01L29/78 371 ,  H01L21/265 F ,  G02F1/1368 ,  H05B33/14 A
F-Term (121)：
2H092JA26 ,  2H092JA34 ,  2H092JA37 ,  2H092JA41 ,  2H092KA08 ,  2H092KA10 ,  2H092KA12 ,  2H092KA18 ,  2H092MA05 ,  2H092MA07 ,  2H092MA13 ,  2H092NA21 ,  3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107CC21 ,  3K107EE04 ,  3K107HH05 ,  5F083AD02 ,  5F083AD69 ,  5F083EP22 ,  5F083GA01 ,  5F083GA21 ,  5F083GA25 ,  5F083GA27 ,  5F083HA02 ,  5F083HA06 ,  5F083JA02 ,  5F083JA05 ,  5F083JA06 ,  5F083JA12 ,  5F083JA19 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA39 ,  5F083JA42 ,  5F083JA44 ,  5F083LA02 ,  5F083LA21 ,  5F083MA06 ,  5F083MA19 ,  5F083PR22 ,  5F083PR33 ,  5F083PR34 ,  5F101BA17 ,  5F101BD02 ,  5F101BD30 ,  5F101BD33 ,  5F101BD39 ,  5F101BF01 ,  5F101BF03 ,  5F101BH16 ,  5F110AA14 ,  5F110BB01 ,  5F110BB05 ,  5F110BB10 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE14 ,  5F110EE25 ,  5F110EE30 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF05 ,  5F110FF07 ,  5F110FF09 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110FF36 ,  5F110GG01 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG33 ,  5F110GG43 ,  5F110GG58 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HM17 ,  5F110NN02 ,  5F110NN03 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN28 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110NN74 ,  5F110NN77 ,  5F110NN78 ,  5F110PP01 ,  5F110PP02 ,  5F110PP10 ,  5F110PP13 ,  5F110PP29 ,  5F110PP35 ,  5F110QQ01 ,  5F110QQ02
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (8)
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