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J-GLOBAL ID：201203096862910220

一軸配向した針状Si3N4粒子を含有するセラミックス焼結板

Inventor：
青木 慎介

About 青木 慎介

, 
長瀬 敏之

About 長瀬 敏之


Applicant, Patent owner：
三菱マテリアル株式会社

About 三菱マテリアル株式会社


Agent (3)： 影山 秀一 ,  富田 和夫 ,  三宅 正之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2011106872
Publication number (International publication number)：2012236743
Application date： May. 12, 2011
Publication date： Dec. 06, 2012
Summary：
【課題】基板の厚みを低減させることなく、放熱性を向上させたパワーモジュール用のセラミックス焼結板を提供する。【解決手段】少なくとも針状Si3N4粒子と粒状非晶質Si3N4粒子とが焼結されたセラミックス焼結板であって、針状Si3N4粒子がC軸配向し、かつ、相対密度が94〜98%であるセラミックス焼結板により、前記課題を解決する。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
少なくとも針状Si3N4粒子と粒状非晶質Si3N4粒子とが焼結されたセラミックス焼結板であって、 前記針状Si3N4粒子がC軸配向し、かつ、相対密度が94〜98%であるセラミックス焼結板。
IPC (4)：
C04B 35/584 ,  H01L 23/15 ,  H01L 23/36 ,  C04B 35/626
FI (4)：
C04B35/58 102P ,  H01L23/14 C ,  H01L23/36 C ,  C04B35/58 102S
F-Term (22)：
4G001BA32 ,  4G001BA61 ,  4G001BB32 ,  4G001BB61 ,  4G001BC02 ,  4G001BC14 ,  4G001BC17 ,  4G001BC21 ,  4G001BC22 ,  4G001BC34 ,  4G001BC52 ,  4G001BC54 ,  4G001BD03 ,  4G001BD13 ,  4G001BE12 ,  5F136BA30 ,  5F136BB04 ,  5F136DA27 ,  5F136EA14 ,  5F136FA02 ,  5F136FA18 ,  5F136GA31
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (5)
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Cited by examiner (5)
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