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J-GLOBAL ID：201203097151450762

半導体薄膜の製造方法、半導体デバイスおよび半導体薄膜製造装置

Inventor：
黒木 伸一郎

About 黒木 伸一郎

, 
小谷 光司

About 小谷 光司


Applicant, Patent owner：
国立大学法人東北大学

About 国立大学法人東北大学


Agent (2)： 須田 篤 ,  楠 修二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2010176075
Publication number (International publication number)：2012038843
Application date： Aug. 05, 2010
Publication date： Feb. 23, 2012
Summary：
【課題】10μmを超える長さをもつ直線状の結晶粒が整列した、結晶方位がほぼ2軸揃った結晶粒からなる半導体薄膜を形成し、高移動度でかつ特性の均一な半導体デバイスを提供することができる半導体薄膜の製造方法、半導体デバイスおよび半導体薄膜製造装置を提供する。【解決手段】連続発振レーザー結晶化において、回折型レーザビームホモジナイザを用いることで、レーザースポットを直線状・矩形状にし、長い方向にほぼ均一なレーザー強度分布を形成する。このレーザースポットを、レーザースポットの短い方向に適切な間隔をおいて、2段以上並べる。この多段レーザースポットを、シリコン薄膜上に照射し、レーザースポットの短い方向に走査させて、シリコン薄膜を横方向結晶化(ラテラル結晶化)を行うことで、結晶方位がほぼ2軸揃った結晶粒からなる多結晶シリコン薄膜の形成を行うことができる。【選択図】図2
Claim (excerpt)：
基板としてガラス基板もしくはプラスチック基板から成る絶縁素材基板、またはシリコン基板を用い、非晶質シリコン薄膜を前記基板上に直接あるいは他の層を介して堆積して形成し、更にその上にシリコン酸化膜を形成し、その後レーザービームを走査照射して、結晶方位が2軸揃った多結晶シリコン薄膜を形成することを、特徴とする半導体薄膜の製造方法。
IPC (4)：
H01L 21/20 ,  H01L 21/268 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786
FI (3)：
H01L21/20 ,  H01L21/268 J ,  H01L29/78 627G
F-Term (36)：
5F110AA01 ,  5F110BB01 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG17 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110PP03 ,  5F110PP05 ,  5F110PP06 ,  5F110PP07 ,  5F110PP23 ,  5F152AA02 ,  5F152AA06 ,  5F152AA07 ,  5F152BB02 ,  5F152CC02 ,  5F152CC04 ,  5F152CC08 ,  5F152CD13 ,  5F152CE05 ,  5F152CF03 ,  5F152CF13 ,  5F152EE02 ,  5F152FF07 ,  5F152FF09 ,  5F152FF33 ,  5F152FF47 ,  5F152FG03 ,  5F152FG23 ,  5F152FG27 ,  5F152FH03
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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