薄膜トランジスタ、半導体装置、表示装置、結晶化方法及び薄膜トランジスタの製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (8)：鈴江武彦 , 河野哲 , 中村誠 , 蔵田昌俊 , 峰隆司 , 福原淑弘 , 村松貞男 , 橋本良郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006185929
Publication number (International publication number)：2007103911
Application date： Jul. 05, 2006
Publication date： Apr. 19, 2007
Summary：

【課題】高い移動度を備え、且つ移動度や閾値電圧特性のバラツキの小さい薄膜トランジスタを提供する。【解決手段】絶縁基板(1)上に設けられた50nmより薄い厚さの非単結晶半導体薄膜(3)に、逆ピークパターン状の光強度分布のレーザ光を照射して、結晶を横方向に且つ一方向に成長させる。これにより、幅よりも結晶成長方向の寸法が長い帯状の結晶粒(4)が、幅方向に互いに隣接して配置された結晶粒列(5)が形成される。この結晶粒列(5)の中の複数の結晶粒を含む領域に、結晶成長方向に電流が流れるように、TFTのソース領域(s)及びドレイン領域(d)を形成する。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

基板と、基板上に直接的または間接的に設けられた非単結晶半導体薄膜と、非単結晶半導体薄膜の中に形成され、長手方向に伸び且つ幅方向に互いに隣接して配置された帯状の結晶粒により構成された結晶粒列と、結晶粒列の中の複数の結晶粒を含み、結晶粒の長手方向に電流が流れるように形成されたソース領域及びドレイン領域と、を備えた薄膜トランジスタであって、前記結晶粒は、前記非単結晶半導体薄膜に結晶種を発生させ、次いで各結晶種から前記長手方向に結晶を成長させることによって形成されていること、を特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (4)：

H01L 21/336 , H01L 29/786 , H01L 21/20 , H01L 21/268

FI (5)：

H01L29/78 627G , H01L29/78 620 , H01L29/78 618Z , H01L21/20 , H01L21/268 J

F-Term (89)：

5F110AA01 , 5F110BB02 , 5F110BB04 , 5F110CC02 , 5F110CC08 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD17 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE09 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF09 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110FF30 , 5F110FF31 , 5F110FF32 , 5F110GG02 , 5F110GG06 , 5F110GG13 , 5F110GG17 , 5F110GG25 , 5F110GG32 , 5F110GG34 , 5F110GG45 , 5F110GG47 , 5F110GG52 , 5F110HJ04 , 5F110HJ12 , 5F110HJ13 , 5F110HJ23 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL06 , 5F110HL07 , 5F110HL23 , 5F110NN03 , 5F110NN04 , 5F110NN15 , 5F110NN16 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN25 , 5F110NN27 , 5F110NN33 , 5F110NN35 , 5F110NN72 , 5F110PP03 , 5F110PP04 , 5F110PP05 , 5F110PP06 , 5F110PP11 , 5F110PP24 , 5F110PP35 , 5F110QQ09 , 5F110QQ12 , 5F110QQ23 , 5F152AA03 , 5F152AA06 , 5F152AA07 , 5F152AA08 , 5F152BB02 , 5F152BB03 , 5F152CC02 , 5F152CC04 , 5F152CD13 , 5F152CD17 , 5F152CE05 , 5F152CE25 , 5F152CF02 , 5F152CF13 , 5F152EE01 , 5F152EE04 , 5F152FF03 , 5F152FF24 , 5F152FF28 , 5F152FF36 , 5F152FG04 , 5F152FG19 , 5F152FG23 , 5F152FH03 , 5F152FH04 , 5F152FH19

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

光照射装置、結晶化装置、結晶化方法、デバイス、および光学変調素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-017946 Applicant：株式会社液晶先端技術開発センター
結晶化装置および結晶化方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-262249 Applicant：株式会社液晶先端技術開発センター
主として<100>配向した多結晶シリコン領域を有するLCDの形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-027481 Applicant：シャープ株式会社

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