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J-GLOBAL ID：201203098844056010

記憶素子及び記憶装置

Inventor： 大森 広之 ,  細見 政功 ,  別所 和宏 ,  肥後 豊 ,  山根 一陽 ,  内田 裕行
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 特許業務法人信友国際特許事務所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2010142680
Publication number (International publication number)：2012009538
Application date： Jun. 23, 2010
Publication date： Jan. 12, 2012
Summary：

【課題】少ない電流で高速に動作させることが可能な記憶素子を提供する。【解決手段】磁化の向きが膜面に垂直な方向の垂直磁化層17と、非磁性層16と、膜面内方向に磁化容易軸を有し、磁化の向きが膜面に垂直な方向から15度以上45度以下の角度で傾斜している、強磁性層15と、垂直磁化層17と強磁性層15とが非磁性層16を介して積層され、垂直磁化層17と強磁性層15とが磁気的結合して成る記憶層22と、磁化の向きが膜面に垂直な方向に固定された磁化固定層21と、記憶層22及び磁化固定層21の間に配置された、非磁性の中間層15とを含み、各層の積層方向に電流を流すことにより情報の記録が行われる記憶素子20を構成する。【選択図】図6

Claim (excerpt)：

磁化の向きが膜面に垂直な方向の垂直磁化層と、 非磁性層と、 膜面内方向に磁化容易軸を有し、磁化の向きが膜面に垂直な方向から15度以上45度以下の角度で傾斜している、強磁性層と、 前記垂直磁化層と前記強磁性層とが前記非磁性層を介して積層され、前記垂直磁化層と前記強磁性層とが磁気的結合して成り、情報を磁性体の磁化状態により保持する記憶層と、 磁化の向きが膜面に垂直な方向に固定された、磁化固定層と、 前記記憶層及び前記磁化固定層の間に配置された、非磁性の中間層とを含み、各層の積層方向に電流を流すことにより情報の記録が行われる 記憶素子。

IPC (3)：

H01L 27/105 ,  H01L 21/824 ,  H01L 43/08

FI (2)：

H01L27/10 447 ,  H01L43/08 Z

F-Term (29)：

4M119AA03 ,  4M119AA05 ,  4M119AA08 ,  4M119BB01 ,  4M119CC05 ,  4M119DD03 ,  4M119DD17 ,  4M119DD22 ,  4M119DD24 ,  4M119DD25 ,  4M119DD26 ,  4M119DD33 ,  4M119DD42 ,  4M119DD45 ,  4M119EE22 ,  4M119EE27 ,  4M119FF05 ,  5F092AB07 ,  5F092AC12 ,  5F092AD23 ,  5F092AD25 ,  5F092BB35 ,  5F092BB36 ,  5F092BB42 ,  5F092BB43 ,  5F092BC03 ,  5F092BC04 ,  5F092BC08 ,  5F092BC13

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 二重磁気異方性自由層を有する磁気トンネル接合構造
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2009-251256   Applicant：コリアインスティテュートオブサイエンスアンドテクノロジー
• 磁気抵抗素子及び磁気メモリ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2007-094887   Applicant：株式会社東芝