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J-GLOBAL ID：201302208050076754   Reference number：13A1864305

Preparation of Carbon Thin Films by Gas Flow Sputtering in High-Density Plasma

高密度プラズマ環境下のガスフロースパッタ法によるカーボン薄膜の作製

Author (5)： ISHII TAKUMA (宇都宮大 大学院工学研究科) ,  SATO YUJI (宇都宮大 大学院工学研究科) ,  WATANABE TAKAHARU (宇都宮大 大学院工学研究科) ,  ISHII KIYOSHI (宇都宮大 大学院工学研究科) ,  SAKUMA HIROSHI (宇都宮大 大学院工学研究科)
Material： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
Volume： 113  Issue： 268(CPM2013 93-107)  Page： 67-71  Publication year： Oct. 17, 2013 
JST Material Number： S0532B  ISSN： 0913-5685  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *sputtering ,  thin film ,  *thin film growth ,  ion density ,  gas flow ,  substrate temperature ,  plasma density ,  nano crystal ,  *physical vapor deposition ,  hollow-cathode discharge ,  crystal structure ,  X-ray diffraction ,  *semiconductor thin film ,  semiconductor material
Semi thesaurus term： carbon thin-film ,  diamond thin film ,  gas-flow

JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (6)： 高密度プラズマ ,  環境 ,  ガスフロー ,  スパッタ法 ,  カーボン薄膜 ,  作製