Art

J-GLOBAL ID：201302213724044520   Reference number：13A1222900

An attempt for clarification of SiC oxidation mechanism-Common/different point to Si oxidation-

SiC酸化メカニズム解明への試み-Si酸化との共通点/異なる点-

Author (3)： HIJIKATA YASUTO (埼玉大 大学院理工学研究科) ,  YAGI SHUHEI (埼玉大 大学院理工学研究科) ,  YAGUCHI HIROYUKI (埼玉大 大学院理工学研究科)
Material： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
Volume： 113  Issue： 87(SDM2013 44-64)  Page： 91-96  Publication year： Jun. 11, 2013 
JST Material Number： S0532B  ISSN： 0913-5685  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *silicon carbide ,  hexagonal system ,  *MOSFET ,  power transistor ,  *thermal oxidation ,  interface (surface)
Semi thesaurus term： *4H-SiC ,  power MOSFET

JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (5)： SiC ,  酸化 ,  メカニズム ,  試み ,  Si