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J-GLOBAL ID：201302220425189233   Reference number：13A0827921

Resistance Switching Memory Characteristics of Si/CaF₂/CdF₂ Quantum-Well Structures Grown on Metal (CoSi₂) Layer

金属(CoSi₂)層上で成長させたSi/CaF₂/CdF₂ 量子井戸構造の抵抗スイッチングメモリ特性

Author (3)： DENDA Junya (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  URYU Kazuya (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  WATANABE Masahiro (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 52  Issue： 4,Issue 2  Page： 04CJ07.1-04CJ07.4  Publication year： Apr. 25, 2013 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： silicide ,  cobalt compound ,  *quantum well ,  metallic thin film ,  *switching ,  substrate(plate) ,  silicon ,  calcium fluoride ,  cadmium compound ,  fluoride ,  *RAM ,  epitaxy ,  thin film growth ,  *current-voltage characteristic ,  heat treatment ,  protective film ,  ratio ,  current density ,  *particle size(diameter)
Semi thesaurus term： *resistance switching ,  cadmium fluoride ,  酸化物媒介エピタクシー ,  on-off ratio

JST classification (1)： Electronic recording,magnetic recording,optical recording  (NC06020F)

Reference (25)：

• 1) A. Izumi, N. Matsubara, Y. Kushida, K. Tsutsui, and N. S. Sokolov: Jpn. J. Appl. Phys. 36 (1997) 1849.
• 2) M. Watanabe, Y. Aoki, W. Saitoh, and M. Tsuganezawa: Jpn. J. Appl. Phys. 38 (1999) L116.
• 3) M. Watanabe, T. Funayama, T. Teraji, and N. Sakamaki: Jpn. J. Appl. Phys. 39 (2000) L716.
• 4) T. Kanazawa, R. Fujii, T. Wada, Y. Suzuki, M. Watanabe, and M. Asada: Appl. Phys. Lett. 90 (2007) 092101.
• 5) T. Kanazawa, A. Morosawa, R. Fuji, T. Wada, M. Watanabe, and M. Asada: Jpn. J. Appl. Phys. 46 (2007) 3388.

Terms in the title (6)： 層 ,  成長 ,  Si ,  CaF2 ,  量子井戸 ,  抵抗スイッチングメモリ