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J-GLOBAL ID：201302230636551279   Reference number：13A1723065

アンモニア水溶液中レーザー照射による4H-SiC中への窒素ドーピング

Author (6)： INOUE YUKI (九大) ,  IKENOUE HIROSHI (九大) ,  IKEDA AKIHIRO (九大) ,  NAKAMURA TAISUKE (九大) ,  OKADA TATSUO (九大) ,  ASANO TANEMASA (九大)
Material： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
Volume： 74th  Page： ROMBUNNO.19A-P9-8  Publication year： Aug. 31, 2013 
JST Material Number： Y0055B  ISSN： 2758-4704  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： Ammonia ,  aqueous solution ,  laser irradiation ,  *silicon carbide ,  *Nitrogen ,  *doping ,  heat resisting material

JST classification (1)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Terms in the title (4)： アンモニア水溶液 ,  レーザー照射 ,  4H-SiC ,  窒素ドーピング