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J-GLOBAL ID：201302237720222218   Reference number：13A0687992

イオン照射による半導体表面ナノ構造形成

Author (1)： NITTA NORIKO (高知工科大 ナノテクノロジー研)
Material： まてりあ  (Materia Japan)
Volume： 52  Issue： 4  Page： 166-172  Publication year： Apr. 01, 2013 
JST Material Number： F0163A  ISSN： 1340-2625  CODEN： MTERE2  Document type： Article
Article type： 解説  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *nanostructure ,  gallium arsenide ,  indium arsenide ,  *compound semiconductor ,  *heavy ion irradiation ,  electron irradiation ,  transmission electron microscope ,  surface structure ,  point defect ,  charged particle ,  Temperature ,  temperature dependence ,  exposure radiation dose ,  focused ion beam ,  cell structure ,  morphology (form) ,  void (crystal) ,  sequence and arrangement ,  tin ion ,  irradiation temperature ,  fluence dependency ,  structure
Semi thesaurus term： dose dependency

JST classification (1)： Irradiational changes semiconductors  (BK16123E)

Reference (40)：

• GRIMALDI, M. G. J. Appl. Phys. 1981, 52, 4038-4046
• OPYD, W. G. Appl. Phys. Lett. 1986, 49, 947-976
• TANIWAKI, M. J. Appl. Phys. 1990, 67, 4036-4041
• GASPAROTTO, A. J. Appl. Phys. 1999, 85, 753-760
• KLEITMAN, D. Phys. Rev. 1957, 108, 901

Terms in the title (3)： イオン照射 ,  半導体表面 ,  構造形成