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J-GLOBAL ID：201302242219133489   Reference number：13A0853642

UV照射によるALD-AlO_x膜のパッシベーション特性変化

Author (16)： SAKAI CHIKAKO (兵庫県大) ,  SAKAI CHIKAKO (JST-CREST) ,  URUSHIBATA KO (兵庫県大) ,  URUSHIBATA KO (JST-CREST) ,  MIKI SHOHEI (兵庫県大) ,  MIKI SHOHEI (JST-CREST) ,  ARAFUNE KOJI (兵庫県大) ,  ARAFUNE KOJI (JST-CREST) ,  HOTTA YASUSHI (兵庫県大) ,  HOTTA YASUSHI (JST-CREST) ,  YOSHIDA HARUHIKO (兵庫県大) ,  YOSHIDA HARUHIKO (JST-CREST) ,  OGURA ATSUSHI (明治大) ,  OGURA ATSUSHI (JST-CREST) ,  SATO SHIN'ICHI (兵庫県大) ,  SATO SHIN'ICHI (JST-CREST)
Material： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
Volume： 60th  Page： ROMBUNNO.29P-PA9-13  Publication year： Mar. 11, 2013 
JST Material Number： Y0054B  ISSN： 2758-4704  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *chemical vapor deposition ,  ultraviolet irradiation ,  *Aluminum Oxide ,  *passivation ,  wafer ,  PN junction ,  thin film growth ,  solar cell ,  Si wafer ,  *modification
Semi thesaurus term： silicon substrate ,  *ALD

JST classification (1)： Oxide thin films  (BK14050P)

Terms in the title (3)： UV照射 ,  ALD ,  パッシベーション