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J-GLOBAL ID：201302251859326894   Reference number：13A0853027

スパッタリング法によるアモルファスMg₂Si系半導体の作製と評価

Author (4)： HARA SHOTA (岐阜大) ,  KATO TAKASHI (岐阜大) ,  MATSUKI NOBUYUKI (岐阜大) ,  FUJIWARA HIROYUKI (岐阜大)
Material： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
Volume： 60th  Page： ROMBUNNO.30A-G7-4  Publication year： Mar. 11, 2013 
JST Material Number： Y0054B  ISSN： 2436-7613  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： amorphous semiconductor ,  *magnesium compound ,  *silicide ,  sputtered deposition ,  substrate (plate) ,  thermal oxidation ,  silicon ,  atmosphere (environment) ,  Argon ,  Hydrogen ,  Nitrogen ,  mixed gas ,  photoconductivity ,  solar cell ,  *semiconductor thin film ,  *optical absorption
Semi thesaurus term： photoconductivity ,  mixed gas

JST classification (2)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Optical properties of condensed matter in general  (BM08010A)

Terms in the title (4)： スパッタリング法 ,  アモルファス ,  作製 ,  評価