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J-GLOBAL ID：201302263773198611   Reference number：13A0988444

Formation of Semi-Insulating Layers on Semiconducting β-Ga₂O₃ Single Crystals by Thermal Oxidation

熱酸化による半導体β-Ga₂O₃単結晶上の半絶縁層の形成

Author (10)： OSHIMA Takayoshi (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  KAMINAGA Kenichi (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  MUKAI Akira (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  SASAKI Kohei (Tamura Corp., Saitama, JPN) ,  MASUI Takekazu (KOHA Co., Ltd., Tokyo, JPN) ,  KURAMATA Akito (Tamura Corp., Saitama, JPN) ,  YAMAKOSHI Shigenobu (Tamura Corp., Saitama, JPN) ,  FUJITA Shizuo (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  OHTOMO Akira (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  OHTOMO Akira (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 52  Issue： 5,Issue 1  Page： 051101.1-051101.5  Publication year： May. 25, 2013 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *gallium oxide ,  *compound semiconductor ,  *single crystal ,  *thermal oxidation ,  *capacitance-voltage characteristic ,  layer ,  *Schottky barrier ,  heat treatment ,  silicon dioxide ,  temperature dependence ,  time dependence ,  diffusion in solid
Semi thesaurus term： 半絶縁層

JST classification (1)： Semiconductor-metal contacts  (BM03084G)

Reference (39)：

• 1) M. N. Yodel and S. Member: IEEE Trans. Electron Devices 43 (1996) 1633.
• 2) S. Geller: J. Chem. Phys. 33 (1960) 676.
• 3) J. Ahman, G. Svensson, and J. Albertsson: Acta Crystallogr., Sect. C 52 (1996) 1336.
• 4) T. Matsumoto, M. Aoki, A. Kinoshita, and T. Aono: Jpn. J. Appl. Phys. 13 (1974) 1578.
• 5) N. Ueda, H. Hosono, R. Waseda, and H. Kawazoe: Appl. Phys. Left. 71 (1997) 933.

Terms in the title (4)： 熱酸化 ,  β-Ga2O3 ,  単結晶 ,  絶縁層