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J-GLOBAL ID：201303004469948408

中性子検出装置及びその使用方法

Inventor： 石田 武和 ,  岡安 悟 ,  片桐 政樹
Applicant, Patent owner： 独立行政法人科学技術振興機構 ,  公立大学法人大阪府立大学 ,  独立行政法人日本原子力研究開発機構
Agent (3)： 北村 修一郎 ,  東 邦彦 ,  三宅 一郎
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2006320605
Publication number (International publication number)：2008134153
Patent number：4919485
Application date： Nov. 28, 2006
Publication date： Jun. 12, 2008
Claim (excerpt)：

【請求項1】 基板、この基板の表面に設けられた超伝導材料で構成されるストリップライン、及びこのストリップラインの両端にそれぞれ設けられた電極部、を有する中性子検出素子と、 前記中性子検出素子のストリップラインの抵抗値の変化を表す信号を出力する検出回路と、 所定の目標バイアス電流を前記中性子検出素子に供給する電源と、 前記中性子検出素子の前記目標バイアス電流での抵抗-温度特性における、温度変化に対する抵抗変化が最も大きい温度領域内の温度を目標温度として、前記中性子検出素子の温度制御を行う温度制御装置と、を有し、 前記目標バイアス電流が、所定のバイアス電流の供給下で、前記中性子検出素子の温度を常伝導状態が発現する温度から超伝導状態が発現する温度まで変更し、それぞれの温度において所定時間内に前記検出回路が検出する中性子数を観測した結果、前記中性子検出素子の温度の低下に伴って中性子観測数が増加する観測数増加領域と、前記観測数増加領域からの更なる温度の低下に伴って中性子観測数が減少する観測数減少領域とが認められ、前記観測数増加領域と観測数減少領域との間に中性子観測数の最大ピークが認められるバイアス電流に設定されている中性子検出装置。

IPC (4)：

G01T 3/00 ( 200 6.01) ,  G01T 1/26 ( 200 6.01) ,  H01L 39/00 ( 200 6.01) ,  G01T 1/12 ( 200 6.01)

FI (4)：

G01T 3/00 ZAA G ,  G01T 1/26 ,  H01L 39/00 Z ,  G01T 1/12

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 超伝導素子、それを用いた中性子検出装置及び超伝導素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-101498   Applicant：独立行政法人科学技術振興機構, 独立行政法人情報通信研究機構, 大阪府
• 放射線計測装置およびそれを用いた分析装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-160800   Applicant：エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社
• 特開平2-227690