エピタキシャル横方向異常成長窒化ガリウムテンプレート上での酸化亜鉛膜成長の方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：杉村憲司 , 塚中哲雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2012249543
Publication number (International publication number)：2013070072
Application date： Nov. 13, 2012
Publication date： Apr. 18, 2013
Summary：

【課題】パターン化された窒化ガリウムのテンプレートの上に酸化亜鉛の半導体エピ層を製作する方法を提供する。【解決手段】この方法は以下の工程を含む:(1)サファイア基板101aを含む基板101上に窒化ガリウム層103を少なくとも1000°Cの温度で成長させ;(2)SiO2マスク105を窒化ガリウム103上で配向した開口107にパターン化し;(3)成長温度と反応器を選択することによって結晶面を制御して(ELO)窒化ガリウム層のエピタキシャル横方向異常成長を行い、窒化ガリウム層103から開口107の配列を通して成長した窒化ガリウム層109(テンプレート)が形成され;(4)この窒化ガリウムテンプレート上に単結晶酸化亜鉛半導体層111を堆積させる。【選択図】図1A

Claim (excerpt)：

電子デバイスであって: 第一の窒化ガリウム層; 前記第一の窒化ガリウム層の上のマスクにおける開口の配列を介して前記第一の窒化ガリウム層と接触している第二の窒化ガリウム層;そして、前記第一の窒化ガリウム層の欠陥密度よりも低い欠陥密度を有する、前記第二の窒化ガリウム層上の被覆酸化亜鉛層;

IPC (1)：

H01L 21/205

FI (1)：

H01L21/205

F-Term (21)：

5F045AA04 , 5F045AB14 , 5F045AB22 , 5F045AC02 , 5F045AC07 , 5F045AC08 , 5F045AC13 , 5F045AD09 , 5F045AD10 , 5F045AD11 , 5F045AD12 , 5F045AD13 , 5F045AE25 , 5F045AF04 , 5F045AF06 , 5F045AF09 , 5F045AF20 , 5F045BB12 , 5F045BB16 , 5F045DA53 , 5F045GB11

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (7)

ZnO系材料とその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-265774 Applicant：関西ティー・エル・オー株式会社
半導体素子および半導体層の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-205556 Applicant：三洋電機株式会社
III族窒化物半導体の成長方法、III族窒化物半導体膜およびそれを用いた半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-063688 Applicant：日本電気株式会社

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Cited by examiner (7)

ZnO系材料とその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-265774 Applicant：関西ティー・エル・オー株式会社
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