Pat

J-GLOBAL ID：201303010416410538

トンネル磁気抵抗素子、不揮発性磁気メモリ、発光素子および3端子素子

Inventor： 大野 英男 ,  池田 正二 ,  李 永▲眠▼ ,  川▲崎▼ 雅司 ,  大友 明 ,  白井 正文
Applicant, Patent owner： 国立大学法人東北大学
Agent (3)： 杉村 興作 ,  藤谷 史朗 ,  来間 清志
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2006129097
Publication number (International publication number)：2007305610
Patent number：4834834
Application date： May. 08, 2006
Publication date： Nov. 22, 2007
Claim (excerpt)：

【請求項1】 絶縁膜を二つの強磁性膜で挟んだ基本構造を有し、該強磁性膜は、Co,FeおよびNiのうちから選んだ少なくとも一種を含有する組成になり、一方、該絶縁膜は、化学式:Mg1-yXyO(X:Zn,Ca,Sr,BaおよびCdのうちから選んだ一種または二種以上、0 IPC (4)：

H01L 43/10 ( 200 6.01) ,  H01L 27/105 ( 200 6.01) ,  H01L 21/8246 ( 200 6.01) ,  H01L 43/08 ( 200 6.01)

FI (3)：

H01L 43/10 ,  H01L 27/10 447 ,  H01L 43/08 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (12)

• トンネル磁気抵抗効果素子及びこの素子を用いたデバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-269472   Applicant：株式会社リコー, 東北リコー株式会社
• 磁気トンネル素子及びその製造方法、薄膜磁気ヘッド、磁気メモリ、並びに磁気センサ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-070650   Applicant：ソニー株式会社
• トンネル磁気抵抗効果素子、薄膜磁気ヘッド、ヘッドジンバルアセンブリ及び磁気ディスク装置、並びに該トンネル磁気抵抗効果素子の製造方法、検査方法及び検査装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-108616   Applicant：TDK株式会社
• 磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ装置、磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-180255   Applicant：ソニー株式会社
• 角度依存選択性を用いる「スピントランスファ型」MRAM
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2007-537901   Applicant：フリースケールセミコンダクターインコーポレイテッド
• フォトマスク
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-172123   Applicant：ソニー株式会社
• 磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド、磁気再生装置および磁気メモリ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-431571   Applicant：株式会社東芝
• 磁気抵抗効果素子及びその製造方法、並びに磁気メモリ装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-005412   Applicant：セイコーエプソン株式会社
• 磁気抵抗効果素子とその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-013220   Applicant：松下電器産業株式会社
• 磁気抵抗効果素子および磁気記憶装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-268670   Applicant：株式会社東芝
• トンネルジャンクション素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-302614   Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所, 独立行政法人科学技術振興機構
• スピン依存トンネルセルおよびその形成方法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2008-531543   Applicant：フリースケールセミコンダクターインコーポレイテッド, ルサントルナショナルドゥラルシェルシュシアンティフィク, エステマイクロエレクトロニクスクロル2エスアーエス

Cited by examiner (3)

• トンネル磁気抵抗効果素子及びこの素子を用いたデバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-269472   Applicant：株式会社リコー, 東北リコー株式会社
• 磁気トンネル素子及びその製造方法、薄膜磁気ヘッド、磁気メモリ、並びに磁気センサ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-070650   Applicant：ソニー株式会社
• トンネル磁気抵抗効果素子、薄膜磁気ヘッド、ヘッドジンバルアセンブリ及び磁気ディスク装置、並びに該トンネル磁気抵抗効果素子の製造方法、検査方法及び検査装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-108616   Applicant：TDK株式会社