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J-GLOBAL ID：201303010416410538

トンネル磁気抵抗素子、不揮発性磁気メモリ、発光素子および3端子素子

Inventor： 大野 英男 ,  池田 正二 ,  李 永▲眠▼ ,  川▲崎▼ 雅司 ,  大友 明 ,  白井 正文
Applicant, Patent owner： 国立大学法人東北大学
Agent (3)： 杉村 興作 ,  藤谷 史朗 ,  来間 清志
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2006129097
Publication number (International publication number)：2007305610
Patent number：4834834
Application date： May. 08, 2006
Publication date： Nov. 22, 2007
Claim (excerpt)：

【請求項1】 絶縁膜を二つの強磁性膜で挟んだ基本構造を有し、該強磁性膜は、Co,FeおよびNiのうちから選んだ少なくとも一種を含有する組成になり、一方、該絶縁膜は、化学式:Mg1-yXyO(X:Zn,Ca,Sr,BaおよびCdのうちから選んだ一種または二種以上、0<y≦1(但し、y=1を除く))で示される酸化物からなることを特徴とするトンネル磁気抵抗素子。

IPC (4)：

H01L 43/10 ( 200 6.01) ,  H01L 27/105 ( 200 6.01) ,  H01L 21/8246 ( 200 6.01) ,  H01L 43/08 ( 200 6.01)

FI (3)：

H01L 43/10 ,  H01L 27/10 447 ,  H01L 43/08 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• トンネル磁気抵抗効果素子及びこの素子を用いたデバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-269472   Applicant：株式会社リコー, 東北リコー株式会社
• 磁気トンネル素子及びその製造方法、薄膜磁気ヘッド、磁気メモリ、並びに磁気センサ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-070650   Applicant：ソニー株式会社
• トンネル磁気抵抗効果素子、薄膜磁気ヘッド、ヘッドジンバルアセンブリ及び磁気ディスク装置、並びに該トンネル磁気抵抗効果素子の製造方法、検査方法及び検査装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-108616   Applicant：TDK株式会社