トンネル磁気抵抗効果素子及びこの素子を用いたデバイス

Inventor：
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：柏木慎史 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000269472
Publication number (International publication number)：2002084014
Application date： Sep. 06, 2000
Publication date： Mar. 22, 2002
Summary：

【要約】【課題】磁気抵抗の変化率を向上させ、検出感度等の性能を向上させることができるトンネル磁気抵抗効果素子及びこの素子を用いたデバイスを提供する。【解決手段】第2層4の絶縁膜をZnOx薄膜(x=0.95〜1.05)により形成することで、Zn自体がスピンを持たず隣接する第1層3及び第3層5の磁性原子に対して影響を与えないことから、トンネル電流の変化率がより高いスピン配置を持つバンド構造を実現することができ、検出感度等の性能が向上する。特に、第2層4のZnOx薄膜自体のバンドギャップが広く高温においても問題なく動作させ得る上に、Znがイオン化しやすくZnOx薄膜中の酸素原子が界面において第1層3及び第3層5中のFeに拡散するのを防止できるので、初期性能を得やすく、結果として、極めて薄膜となる第2層4の絶縁膜に関してそのばらつきの許容度を高めて信頼性を向上させることができる。

Claim (excerpt)：

金属性強磁性体薄膜による第1層と、非磁性の絶縁膜による第2層と、金属性強磁性体薄膜による第3層との接合構造により形成されて、前記第1層から前記第2層を介して前記第3層にトンネル電流が流れる構造のトンネル磁気抵抗効果素子であって、前記第2層の絶縁膜のスピン偏極率が前記第1層及び第3層のスピン偏極率の1/10以下であることを特徴とするトンネル磁気抵抗効果素子。

IPC (6)：

H01L 43/08 , G01R 33/09 , G11B 5/39 , H01F 10/08 , H01F 10/30 , H01F 10/32

FI (6)：

H01L 43/08 Z , G11B 5/39 , H01F 10/08 , H01F 10/30 , H01F 10/32 , G01R 33/06 R

F-Term (14)：

2G017AA00 , 2G017AB07 , 2G017AC09 , 2G017AD55 , 2G017AD65 , 5D034BA03 , 5D034BA05 , 5D034BA15 , 5D034BB14 , 5D034CA08 , 5E049AA04 , 5E049AA09 , 5E049BA12 , 5E049CB02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

強磁性トンネル結合素子、磁気センサ及び磁気記憶システム
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-240670 Applicant：日本電気株式会社
磁気素子とそれを用いた磁気メモリおよび磁気センサ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-187070 Applicant：株式会社東芝
多重トンネル接合、トンネル磁気抵抗効果素子、磁気センサおよび磁気記録センサヘッド
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-221501 Applicant：株式会社日立製作所

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