Pat
J-GLOBAL ID：200903071681989498
トンネル磁気抵抗効果素子、薄膜磁気ヘッド、ヘッドジンバルアセンブリ及び磁気ディスク装置、並びに該トンネル磁気抵抗効果素子の製造方法、検査方法及び検査装置
Inventor：
,
,
,
,
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
山本 恵一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005108616
Publication number (International publication number)：2006286157
Application date： Apr. 05, 2005
Publication date： Oct. 19, 2006
Summary：
【課題】 素子抵抗が十分に低減されており、しかもポッピングノイズの発生が制限されたTMR効果素子を提供する。【解決手段】 金属酸化物を主成分とするトンネルバリア層と、このトンネルバリア層を挟持して積層された2つの強磁性層とを備えたTMR効果素子であって、このトンネルバリア層が多数の電荷サイトを含んでおり、この多数の電荷サイトのトンネルバリア層内での密度nと、この多数の電荷サイトに起因してトラップされた電子の移動度μとが、nS1及びnS2をそれぞれ信号の読み出しの際の素子抵抗最小時及び最大時のトンネル電子の密度とし、μ0をトラップされない場合の電子の移動度とした場合に、0<(nS1-1-nS2-1)-1・(μ0-μ)・(nμ)-1<0.2で表される関係を満たすTMR効果素子が提供される。【選択図】 図5
Claim (excerpt)：
金属酸化物を主成分とするトンネルバリア層と、該トンネルバリア層を挟持して積層された2つの強磁性層とを備えたトンネル磁気抵抗効果素子であって、該トンネルバリア層が多数の電荷サイトを含んでおり、該多数の電荷サイトの該トンネルバリア層内での密度nと、該多数の電荷サイトに起因してトラップされた電子の移動度μとが、nS1及びnS2をそれぞれ信号の読み出しの際の素子抵抗最小時及び最大時のトンネル電子の密度とし、μ0をトラップされない場合の電子の移動度とした場合に、
0<(nS1-1-nS2-1)-1・(μ0-μ)・(nμ)-1<0.2
で表される関係を満たすことを特徴とするトンネル磁気抵抗効果素子。
IPC (4)：
G11B 5/39
, G11B 5/455
, H01L 43/08
, H01L 43/10
G11B5/39
, G11B5/455 C
, H01L43/08 Z
, H01L43/10
5D034BA05
, 5D034BA15
, 5D034BB12
, 5D034CA04
, 5D034DA07
Cited by applicant (5)
Show all
Cited by examiner (2)
Return to Previous Page
