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J-GLOBAL ID:201303010681206632

光デバイス及び検出装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (3): 井上 一 ,  竹腰 昇 ,  黒田 泰
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2011139526
Publication number (International publication number):2013007614
Application date: Jun. 23, 2011
Publication date: Jan. 10, 2013
Summary:
【課題】 伝播表面プラズモンと局在表面プラズモンとを併用しながら、金属ナノ粒子の配列周期に依存せずに伝播表面プラズモンPSPの「波数」を決めることで、ホットサイトとして機能する金属ナノ粒子の密度を高めることができる光デバイス及びそれを用いた検出装置を提供すること。【解決手段】 光デバイス100A,100Bは、基材100の導体表面102より突起して、第1方向Xに沿って周期Pxで配列される突起群110と、導体表面及び突起群を覆う誘電体層120と、誘電体層上にてサイズdがナノオーダーの金属ナノ粒子130Aが第1方向に沿って配列されて成る金属ナノ構造130と、を有し、照射光の波長をλとしたとき、λ>Px>dを満足し、かつ、第1方向にて隣り合う2つの金属ナノ粒子の配列ピッチの最大値をpxしたとき、Px>pxを満足する。【選択図】 図6
Claim (excerpt):
基材の導体表面より突起して、第1方向に沿って周期Pxで配列される突起群と、 前記導体表面及び前記突起群を覆う誘電体層と、 前記誘電体層上にてサイズdがナノオーダーの金属ナノ粒子が前記第1方向に沿って配列されて成る金属ナノ構造と、 を有し、 照射光の波長をλとしたとき、λ>Px>dを満足し、かつ、前記第1方向にて隣り合う2つの前記金属ナノ粒子の配列ピッチの最大値をpxしたとき、Px>pxを満足することを特徴とする光デバイス。
IPC (1):
G01N 21/65
FI (1):
G01N21/65
F-Term (16):
2G043AA03 ,  2G043BA16 ,  2G043CA03 ,  2G043DA05 ,  2G043EA03 ,  2G043GA07 ,  2G043GB01 ,  2G043GB02 ,  2G043GB03 ,  2G043GB05 ,  2G043GB16 ,  2G043HA01 ,  2G043HA09 ,  2G043KA02 ,  2G043KA05 ,  2G043KA09
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (5)
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Cited by examiner (5)
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Article cited by the Patent:
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