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J-GLOBAL ID：201303022732521870

半導体結合超伝導三端子素子

Inventor： 赤崎 達志 ,  柴田 浩行
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (3)： 光石 俊郎 ,  田中 康幸 ,  松元 洋
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2010179169
Publication number (International publication number)：2012038984
Patent number：5134053
Application date： Aug. 10, 2010
Publication date： Feb. 23, 2012
Claim (excerpt)：

【請求項1】 超伝導電流のチャネル層となるInGaAs層とソース電極となる第1のMgB2超伝導電極層及びドレイン電極となる第2のMgB2超伝導電極層とその二つの超伝導電極層間のInGaAs層中に流れる超伝導電流を制御する第三電極とを有する半導体結合超伝導三端子素子において、 前記MgB2超伝導電極層と前記InGaAsチャネル層との層間にAu層が挿入された ことを特徴とする半導体結合超伝導三端子素子。

IPC (8)：

H01L 39/22 ( 200 6.01) ,  H01L 21/28 ( 200 6.01) ,  H01L 21/338 ( 200 6.01) ,  H01L 29/778 ( 200 6.01) ,  H01L 29/812 ( 200 6.01) ,  H01L 21/336 ( 200 6.01) ,  H01L 29/78 ( 200 6.01) ,  H01L 29/417 ( 200 6.01)

FI (6)：

H01L 39/22 G ,  H01L 21/28 301 B ,  H01L 29/80 ZAA H ,  H01L 29/78 301 B ,  H01L 29/50 M ,  H01L 29/50 J

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 超伝導量子干渉素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2008-064490   Applicant：日本電信電話株式会社
• 機能素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-285753   Applicant：株式会社東芝